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| 相变随机存储器存储单元结构设计 | |
| 引用本文： | 胡作启,袁成伟,李兰.相变随机存储器存储单元结构设计[J].华中科技大学学报(自然科学版),2009,37(6). |
| 作者姓名： | 胡作启 袁成伟 李兰 |
| 作者单位： | 华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074 |
| 摘 要： | 为改善写信息脉冲电流过高而制约相变随机存储器实用化的状况,根据自下而上、边缘接触式存储单元结构的特点,建立了存储单元脉冲电流写信息的二维仿真模型,用有限无法解电、热传导微分方程模拟了存储单元的温度分布.结果证实,边缘接触式结构具有更低的写信息脉冲电流,是降低相变随机存储器写信息脉冲电流幅值的一种有效存储单元结构. |
| 关 键 词： | 相变存储器 存储单元结构 结构设计 热分析 有限元法 |
Configuration design of the phase change random access memory cell |
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