| 氧注入制成SOI材料的研究 |
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| 引用本文： | 董顺乐,丛培杰,刘家瑞,马瑞芬.氧注入制成SOI材料的研究[J].山东大学学报(理学版),1989(4). |
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| 作者姓名： | 董顺乐 丛培杰 刘家瑞 马瑞芬 |
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| 作者单位： | 山东大学物理系，山东大学物理系，中国科学院物理研究所，济南半导体元件实验所 |
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| 摘 要： | 采用加热靶和少量氮离子注入制成了 SOI 材料,在1180℃、氮气保护下进行了2小时的退火。离子沟道背散射测量和电子通道花样观测结果表明:加热靶和少量氮离子注入能有效地改善顶部硅层的单晶质量.
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| 关 键 词： | 离子注入 SOI 沟道 |
STUDY OF SOI PREPARED BY OXYGEN ION IMPLANTATION |
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| Dong Shunle Cong Peijie.STUDY OF SOI PREPARED BY OXYGEN ION IMPLANTATION[J].Journal of Shandong University,1989(4). |
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| Authors: | Dong Shunle Cong Peijie |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ion implantation SOI channel |
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