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| SiGe合金氧化层中的纳米结构 | |
| 引用本文： | 黄伟其,蔡绍洪,龙超云,刘世荣.SiGe合金氧化层中的纳米结构[J].贵州大学学报(自然科学版),2002,19(3):202-207. |
| 作者姓名： | 黄伟其 蔡绍洪 龙超云 刘世荣 |
| 作者单位： | 1. 贵州教育学院物理系,贵州贵阳,550003 2. 贵州大学物理系,贵州贵阳,550003 3. 中科院地化所电镜室,贵州贵阳,550003 |
| 摘 要： | 在硅锗合金衬底上采用氧化等制膜方式生成零维和二维的纳米结构样品，用高精度椭偏仪（HPE）、卢瑟福背散射谱仪（RBS）和高分辩率扫描透射电子显微镜（HR-STEM）测量样品的纳米结构，并采用美国威思康新州立大学开发的Rump模拟软件对卢瑟福背散射谱（RBS）中的CHANNEL谱和RANDOM谱分别进行精细结构模拟，测量并计算出纳米氧化层与锗的纳米薄膜结构分布，并且反馈控制加工过程，优化硅锗半导体材料纳米结构样品的加工条件。在硅锗合金的氧化层表面中着次发现纳米锗量子点组成的纳米盖帽薄膜（2nm)，提出的生成硅锗纳米结构的优化加工条件的氧化时间和氧倾泄蝶恋花匹配公式的理论模式模型与实验结果拟合得很好。 |
| 关 键 词： | SiGe合金氧化层 纳米结构 纳米团簇 纳米层 硅锗合金薄膜 光电特性 硅锗半导体材料 |
| 文章编号： | 1000-5269(2002)03-0202-06 |
| 修稿时间： | 2002年6月6日 |
Nanoparticle and Nanolayer in Oxide Film and Substantial Ge Segregation |
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| Huang Weiqi ,Ji Shiyin ,Cai Shaohong ,Liu Shirong.Nanoparticle and Nanolayer in Oxide Film and Substantial Ge Segregation[J].Journal of Guizhou University(Natural Science),2002,19(3):202-207. | |
| Authors: | Huang Weiqi Ji Shiyin Cai Shaohong Liu Shirong |
| Institution: | Huang Weiqi 1,Ji Shiyin 1,Cai Shaohong 2,Liu Shirong 3 |
| Abstract: | |
| Keywords: | Nanoparticle Nanolayer Ge segregation SiGe PACS: 61 46 +w 68 65 -k 81 07 -b |
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