| 薄膜初期成核的KMC模拟 |
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| 引用本文： | 杨莉,孙治国.薄膜初期成核的KMC模拟[J].甘肃科技,2008,24(3):47-49. |
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| 作者姓名： | 杨莉 孙治国 |
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| 作者单位： | 兰州理工大学材料学院,甘肃,兰州,730050 |
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| 摘 要： | 用Monte Carlo法和分子动力学原理,对薄膜生长初期岛形状进行了计算机模拟。本文提出以扩散理论为基础、把扩散限制(DLA)理论和反应限制(RLA)理论相结合,形成新扩展的DLA模型,用新模型分别研究无活性剂系统和活性剂系统中成核条件对薄膜生长初期岛形貌、分布的影响。模拟结果表明,当降低生长温度或升高沉积速率时,在"干净"系统中岛形状发生从紧致到分形的转变;在活性剂系统中,随着衬底温度的升高或原子入射率的降低,沉积在衬底上的原子逐渐由离散分布向高聚集分布过度。
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| 关 键 词： | 薄膜 成核 KMC方法 DLA模型 Morse势 |
TKinetic Monte Carlo simulation of the thin film Initial Growth |
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| Yang li,Sun Zhiguo.TKinetic Monte Carlo simulation of the thin film Initial Growth[J].Gansu Science and Technology,2008,24(3):47-49. |
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| Authors: | Yang li Sun Zhiguo |
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