| 无杂质空位诱导InGaAs／InP量子阱结构的光荧光研究 |
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| 引用本文： | 张晓丹,赵杰,王永晨.无杂质空位诱导InGaAs／InP量子阱结构的光荧光研究[J].天津师范大学学报(自然科学版),2001,21(3):33-35,45. |
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| 作者姓名： | 张晓丹 赵杰 王永晨 |
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| 作者单位： | 天津师范大学物理与电子信息学院 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(69886001) |
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| 摘 要： | 用光荧光谱（PL）方法研究了无杂质空位诱导（IFV）InGaAs/InP多量子阱（MQWs）结构的带隙蓝移，实验中选用Si3N4作为电介质层，用以产生空位，并经快速热退火处理，产生扩散，实验结果表明，带隙蓝移同退火温度和退火时间有关，最佳退火条件的800℃，10s。同时二次离子质谱（SIMS）的分析表明，电介质盖层Si3N4和快速热退火（RTA）导致量子阱中阱和垒之间元素互扩，这种互扩是导致带隙蓝移的主要原因。
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| 关 键 词： | 无杂质空位诱导无序 量子阱 光荧光谱 二次离子质谱 InGaAs／InP 光电集成电路 生长工艺 |
| 文章编号： | 1671-1114(2001)03-0033-03 |
Study on Photoluminescence of InGaAs/InP MQWs by Impurity-Free Vacancy Disordering |
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| ZHANG Xiao dan,ZHAO Jie,WANG Yong chen.Study on Photoluminescence of InGaAs/InP MQWs by Impurity-Free Vacancy Disordering[J].Journal of Tianjin Normal University(Natural Science Edition),2001,21(3):33-35,45. |
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| Authors: | ZHANG Xiao dan ZHAO Jie WANG Yong chen |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | impurity free vacancy disordering quantum well photoluminescence secondary ion mass spectrum |
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