| 共振隧穿现象与LED失效模型的分析方法 |
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| 引用本文： | 袁晨,严伟.共振隧穿现象与LED失效模型的分析方法[J].北京大学学报(自然科学版),2011,47(6):1151-1154. |
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| 作者姓名： | 袁晨 严伟 |
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| 作者单位： | 上海北京大学微电子研究院SHRIME,上海201203／北京大学软件与微电子学院,北京100871 |
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| 基金项目： | 上海市科学技术委员会(09DZ1141504);国家自然科学基金(61072038)资助 |
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| 摘 要： | 针对实验中发现的受静电损伤LED与共振隧穿二极管（RTD）模型有相似表现的现象，提出一种LED失效分析方法。经过500～3000V的HBM模型损伤，一部分失效LED的1-V曲线表现出类似共振隧穿二极管（RTD），正向电流呈现隧道电流的特征，证实静电损伤路径穿越了LED内量子阱，改变了内部的结构。将这种曲线与RTD做对比...
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| 关 键 词： | LED 静电 失效分析 |
LED Failure Analysis with Phenomenon of Resonant Tunneling Model |
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| YUAN Chen,YAN Wei,.ShangHai Research Institute of MicroElectronicsSHRIME,Peking University,Shanghai,;,.School of Software and Microelectronics,Peking University,Beijing,;Corresponding author,E-mail: yanwei.LED Failure Analysis with Phenomenon of Resonant Tunneling Model[J].Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Pekinensis,2011,47(6):1151-1154. |
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| Authors: | YUAN Chen YAN Wei ShangHai Research Institute of MicroElectronicsSHRIME Peking University Shanghai ; School of Software and Microelectronics Peking University Beijing ;Corresponding author E-mail: yanwei |
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| Institution: | @ss.pku.edu.cn |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | LED electrostatic failure analysis |
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