| 电化学腐蚀多孔硅的发光特性 |
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| 引用本文： | 甄聪棉,张金娟,刘彩霞,张永进.电化学腐蚀多孔硅的发光特性[J].河北师范大学学报(自然科学版),2008,32(6). |
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| 作者姓名： | 甄聪棉 张金娟 刘彩霞 张永进 |
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| 作者单位： | 河北师范大学,物理科学与信息工程学院,河北,石家庄,050016;河北省新型薄膜材料实验室,河北,石家庄,050016 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，河北省自然科学基金，河北省教育厅基金 |
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| 摘 要： | 采用直流电化学腐蚀的方法在不同电流密度下制备了多孔硅样品.用SEM,FTIR,PL谱研究了制备样品的结构和发光特性.结果表明,多孔硅样品的发光强度和峰位与电流密度存在密切关系,制备的多孔硅存在378,470,714nm的光致发光,对这几个发光峰的发光机理进行了讨论.
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| 关 键 词： | 多孔硅 电化学腐蚀 光致发光 量子限制效应 |
Photoluminescence of Porous Silicon Fabricated by DC Electrochemical Etching |
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| ZHEN Cong-mian,ZHANG Jin-juan,LIU Cai-xia,ZHANG Yong-jin.Photoluminescence of Porous Silicon Fabricated by DC Electrochemical Etching[J].Journal of Hebei Normal University,2008,32(6). |
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| Authors: | ZHEN Cong-mian ZHANG Jin-juan LIU Cai-xia ZHANG Yong-jin |
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