| 宽温区体硅MOST阈值电压温度特性的研究 |
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| 引用本文： | 张海鹏,魏同位.宽温区体硅MOST阈值电压温度特性的研究[J].东南大学学报(自然科学版),1999,29(6):32-35. |
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| 作者姓名： | 张海鹏 魏同位 |
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| 作者单位： | 东南大学微电子中心!南京210096 |
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| 摘 要： | 本文在深入研究硅费米势和禁带宽度温度特性的基础上，详细探讨了宽温区体硅ＮＭＯＳＴ阈值电压的温度特性及沟道掺杂浓度与栅氧化层厚度对其温芳特性的影响，提出了２９８－５２３Ｋ宽温区体硅ＮＭＯＳＴ阈值电压的γ－α因子温度非线性简化模。该模型的模拟结果与高温ＭＯＳ器件模拟软件ＴＨＭＯＳ的数值模拟结果吻合得很好。
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| 关 键 词： | MOST 阈值电压 温度特性 体硅MOST 沟道掺杂浓度 |
Temperature Characteristics of Threshold Voltage of Bulk Silicon NMOST Working in Wide Temperature Range |
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| Zhang Haipeng,Wei Tongli,Feng Yaolan.Temperature Characteristics of Threshold Voltage of Bulk Silicon NMOST Working in Wide Temperature Range[J].Journal of Southeast University(Natural Science Edition),1999,29(6):32-35. |
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| Authors: | Zhang Haipeng Wei Tongli Feng Yaolan |
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| Keywords: | MOST threshold voltage temperature characteristics model |
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