| 脉冲电阳极腐蚀纳米多孔硅的蓝光发射 |
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| 引用本文： | 张亚增,彭德应.脉冲电阳极腐蚀纳米多孔硅的蓝光发射[J].四川师范大学学报(自然科学版),1996,19(5):70-72. |
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| 作者姓名： | 张亚增 彭德应 |
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| 作者单位： | [1]安徽师范大学物理系 [2]上海第二教育学院 |
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| 摘 要： | 用直流叠加方波脉冲电流阳极腐蚀法制得了多孔硅（ＰＳ），样品经ＸｅＣｌ准分子激光器的３０８ｎｍ激光的激发，获得了中心波长为４６２ｎｍ，半高宽为１２６ｎｍ的蓝色光致发光（ＰＬ）谱、ＰＳ断透射电（ＴＥＭ）分析发现有ｎｍ量级的Ｓｉ原子团组成的一维量子线（柱）阵列的三维量子海棉结构，由此带来的量子约束和表面效应恰好说明了ＰＬ谱的实验结果。
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| 关 键 词： | 脉冲电阳极腐蚀 多孔硅 光致发光 半导体 硅 |
BLUE PHOTOLUMINESCENCE OF ANODE ETCHED nm POROUS Si FORMED BY SQUARE IMPULSES CURRENT |
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| Zhang,Yazeng.BLUE PHOTOLUMINESCENCE OF ANODE ETCHED nm POROUS Si FORMED BY SQUARE IMPULSES CURRENT[J].Journal of Sichuan Normal University(Natural Science),1996,19(5):70-72. |
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| Authors: | Zhang Yazeng |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Impulses current anode etched Porous Si Photoluminescence |
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