| Ag的掺杂量对Zn_(0.5)Cd_(0.5)S/Ag半导体材料光催化性能的影响 |
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| 引用本文： | 刘建秀,张彤彤,张大凤,蒲锡鹏.Ag的掺杂量对Zn_(0.5)Cd_(0.5)S/Ag半导体材料光催化性能的影响[J].聊城大学学报(自然科学版),2015(1). |
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| 作者姓名： | 刘建秀 张彤彤 张大凤 蒲锡鹏 |
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| 作者单位： | 聊城大学 材料科学与工程学院,山东 聊城,252059 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(51002069)资助；聊城大学科研基金项目 |
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| 摘 要： | 采用燃烧法制备了Zn0.5Cd0.5S/Ag半导体材料.利用X-射线粉末衍射仪(XRD),扫描电子显微镜(SEM),荧光分光光度计(PL)以及紫外-可见分光光度计(UV-vis)对所制备得到的样品进行了表征.研究了Ag的掺杂量对Zn0.5Cd0.5S/Ag半导体材料的结构、形貌、发光性能和光催化效果的影响.结果表明,Ag的掺杂量对样品的形貌基本没有影响,但是对样品的结构、发光性能以和光催化效果有着显著地影响.研究表明:随着Ag掺杂量的增加,半导体材料中出现了AgS杂相;另外,样品的发光强度逐渐降低;而当Ag的掺杂量为0.1时,所制备的Zn0.5Cd0.5S/Ag半导体材料对亚甲基蓝溶液(MB)的光催化效果最好.
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| 关 键 词： | Zn0.5Cd0.5S/Ag 燃烧法 荧光性能 光催化性能 |
Influence of amount of Ag on the photocatlytic properties of Zn0 .5 Cd0 .5 S/Ag |
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| LIU Jian-xiu,ZHANG Tong-tong,ZHANG Da-feng,PU Xi-peng.Influence of amount of Ag on the photocatlytic properties of Zn0 .5 Cd0 .5 S/Ag[J].Journal of Liaocheng University:Natural Science Edition,2015(1). |
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| Authors: | LIU Jian-xiu ZHANG Tong-tong ZHANG Da-feng PU Xi-peng |
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| Keywords: | Zn0 5 Cd0 5 S/Ag combustion photoluminescence photocatalysis |
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