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| 晶体薄膜中激子的有效半径与能级结构 | |
| 引用本文： | 熊家炯,高乃飞,朱嘉麟,林多梁.晶体薄膜中激子的有效半径与能级结构[J].清华大学学报(自然科学版),1982(1). |
| 作者姓名： | 熊家炯 高乃飞 朱嘉麟 林多梁 |
| 作者单位： | 工程物理系 (熊家炯，高乃飞，朱嘉麟)，美国纽约州立大学布法罗分校物理系(林多梁) |
| 摘 要： | 应用等效哈密顿方法［１］研究了晶体薄膜中Ｗａｎｎｉｅｒ激子的能级结构。但本文中考虑了激子有效半径随薄膜厚度的变化及其对能级结构的影响。具体对ＧａＡｓ晶体薄膜作了计算。得到了不同薄膜厚度下激子的结合能和基态、第一激发态的能量。 |
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