非均匀应变对量子阱结构的能带和增益的影响

研究了非均匀应变对低维量子结构的能带和ＴＥ模光增益所产生的影响。由变分法推导应变沿ｚ轴方向的解析分布。在有效质量理论框架下，采用传递矩阵方法计算应变沿ｚ轴方向非均匀分布时的量子阱结构的能带和ＴＥ模光增益。解析推导表明非均匀应变分布与ｘ－ｙ方向的尺度有密切关系。当ｘ－ｙ方向的尺度较小时，阱区内的应变表现为明显的非均匀分布。计算结果表明，非均匀应变对量子线和量子点结构的能带和增益有着极为重要的影响。     

晶体薄膜中激子的有效半径与能级结构

应用等效哈密顿方法［１］研究了晶体薄膜中Ｗａｎｎｉｅｒ激子的能级结构。但本文中考虑了激子有效半径随薄膜厚度的变化及其对能级结构的影响。具体对ＧａＡｓ晶体薄膜作了计算。得到了不同薄膜厚度下激子的结合能和基态、第一激发态的能量。