| 多孔硅的电迁移 |
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| 引用本文： | 李怀祥,张华,王瑞华,赵婧.多孔硅的电迁移[J].山东师范大学学报(自然科学版),2004,19(1):37-39. |
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| 作者姓名： | 李怀祥 张华 王瑞华 赵婧 |
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| 作者单位： | 山东师范大学化学化工与材料科学学院,250014,济南 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，山东省自然科学基金资助课题 ( 60 0 710 0 6，Y2 0 0 2G11) |
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| 摘 要： | 研究了多孔硅在甲苯中组成的悬浮体系的电迁移特性。电阻率为80～100Ωcm的n型(111)抛光片，氢氟酸溶液中电化学阳极刻蚀成多孔硅再经过超声振荡得到多孔硅，甲苯悬浮体系．以新抛光铝为负极，在外加电场作用下，多孔硅向p^ -Si、ITD导电璃、Pt、Al、Ag等正极迁移并沉积在这些正极表面构成多孔硅薄膜。考察了不同的电沉积参数，例如电场强度、沉积时间对多孔硅薄膜光致荧光强度的影响．采用UFV-vis光谱、XPS、SBM的方法对悬浮体系以及沉积膜进行了分析。
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| 关 键 词： | 多孔硅 电迁移 悬浮体系 光致荧光 |
ELECTROPHORETIC MOBILIZATION OF POROUS SILICON IN TOLUENE |
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| Li Huaixiang,Zhang Hua,Wang Ruihua,Zhao Jing.ELECTROPHORETIC MOBILIZATION OF POROUS SILICON IN TOLUENE[J].Journal of Shandong Normal University(Natural Science),2004,19(1):37-39. |
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| Authors: | Li Huaixiang Zhang Hua Wang Ruihua Zhao Jing |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | porous silicon suspension in toluene electrophoresis deposition photoluminescence |
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