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| 应变纤锌矿GaN/AlxGa1-xN柱形量子点中子带光吸收及其压力效应 | |
| 引用本文： | 石卫燕,闫祖威,石磊.应变纤锌矿GaN/AlxGa1-xN柱形量子点中子带光吸收及其压力效应[J].内蒙古大学学报(自然科学版),2015(2):148-155. |
| 作者姓名： | 石卫燕 闫祖威 石磊 |
| 作者单位： | 内蒙古农业大学理学院 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(11364028);内蒙古自然科学基金重大项目(2013ZD02)资助;内蒙古“草原英才”工程资助项目 |
| 摘 要： | 在有效质量近似下,研究了应变纤锌矿GaN/AlxGa1-xN柱形量子点中基态与第一激发态波函数、能级和导带内的子带光吸收及其压力效应,数值计算了光吸收系数随量子点尺寸、组分和光照强度的变化,讨论了流体静压力对光吸收的影响.结果表明:随着量子点尺寸的减小和组分的增加子带跃迁吸收峰升高且发生蓝移;GaN/AlxGa1-xN量子点子带跃迁产生的吸收峰值会随流体静压力的减小而增加且发生红移. |
| 关 键 词： | 柱形量子点 子带光吸收 流体静压力 |
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