| 中间退火对薄SiO_2膜电击穿特性的影响 |
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| 引用本文： | 李观启,黄美浅,刘百勇.中间退火对薄SiO_2膜电击穿特性的影响[J].华南理工大学学报(自然科学版),1990(2). |
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| 作者姓名： | 李观启 黄美浅 刘百勇 |
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| 作者单位： | 华南理工大学物理系，华南理工大学物理系，华南理工大学物理系 |
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| 摘 要： | 本文研究中间退火处理对薄SiO_2膜电击穿特性和高频电容-电压特性的影响。结果表明,在温度θ=950～1100℃和时间t=0～90分钟范围内,薄SiO_2膜的缺陷密度和固定电荷密度随中间退火温度升高和时间增长而减少。与常规后退火比较,中间退火能更有效地改善干氧氧化膜的电击穿特性,也能改善湿氧氧化膜和TCE氧化膜的电击穿特性。经中间退火处理的干氧氧化膜,其固定电荷密度也稍有降低。
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| 关 键 词： | 氧化 退火 击穿 缺陷 |
EFFECTS OF INTERMEDIATE ANNEALING PROCESS ON ELECTRICAL BREAKDOWN CHARACTERISTICS OF THIN OXIDES |
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| Li Guanqi,Huang Meiqian,Liu Baiyong The Dept.of Phys.,South China Univ.of Tech..EFFECTS OF INTERMEDIATE ANNEALING PROCESS ON ELECTRICAL BREAKDOWN CHARACTERISTICS OF THIN OXIDES[J].Journal of South China University of Technology(Natural Science Edition),1990(2). |
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| Authors: | Li Guanqi Huang Meiqian Liu Baiyong The Deptof Phys South China Univof Tech |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | oxidation annealing breakdown voltage defects |
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