| HNO3处理多孔硅高效发光的研究 |
| |
| 引用本文： | 王水凤 姜乐 戴丽丽,王震东 元美玲.HNO3处理多孔硅高效发光的研究[J].江西科学,2005,23(4):363-365. |
| |
| 作者姓名： | 王水凤 姜乐 戴丽丽 王震东 元美玲 |
| |
| 作者单位： | 王水凤（南昌大学理学院,江西,南昌,330047）;姜乐（南昌大学材料科学与工程系,江西,南昌,330047）;戴丽丽（南昌大学材料科学与工程系,江西,南昌,330047）;王震东（南昌大学理学院,江西,南昌,330047）;元美玲（南昌大学理学院,江西,南昌,330047） |
| |
| 基金项目： | 江西省自然基金项目(0312006). |
| |
| 摘 要： | 在实验室条件下对P型单晶硅片进行阳极电化学腐蚀制成多孔硅(Porous
Silicon)样片,同时用适当配比的HNO3对多孔硅进行处理.比较了HNO3作用前后样片的光致发光(PL)谱,结果发现用HNO3处理的多孔硅的发光效率有显著提高.用XPS和SEM对样片测试的结果表明酸处理后样片表面形成Si-O结构,其表面平均孔径增大,而且分布更均匀.
|
| 关 键 词： | 多孔硅 光致发光 HNO3 |
| 文章编号： | 1001-3679(2005)04-0363-04 |
| 修稿时间： | 2005年4月17日 |
Investigation on the
Photoluminescence Properties of Porous Silicon Film after Being Treated by HNO3 |
| |
| WANG Shui-feng.Investigation on the
Photoluminescence Properties of Porous Silicon Film after Being Treated by HNO3[J].Jiangxi Science,2005,23(4):363-365. |
| |
| Authors: | WANG Shui-feng |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
|
|
