| 脉冲式XeCl激光辐照a－Si∶H膜诱导晶化的研究 |
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| 引用本文： | 杜开瑛,莫敏.脉冲式XeCl激光辐照a－Si∶H膜诱导晶化的研究[J].四川大学学报(自然科学版),1994(1). |
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| 作者姓名： | 杜开瑛 莫敏 |
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| 摘 要： | 当脉冲辐照ａ－Ｓｉ∶Ｈ膜的ＸｅＣｌ激光能量密度在２４０ｍＪ／ｃｍ￣２以上时，可引起被辐照膜发生明显的固相晶化；通过拉曼（Ｒａｍａｎ）散射谱、扫描电子显微照象（ＳＥＭ）和紫外（ＵＶ）分光光度吸收谱的实验，研究了不同辐照条件、不同膜厚及各种膜结构试样的晶化效果；还研究了使用ＣＯ＿２激光退火对被辐照膜的影响。结果表明，晶化膜的晶粒大小在０．１～１．０μｍ时，Ｒａｍａｎ位移为５１０ｃｍ￣（－１）～５１７ｃｍ￣（－１）、半峰高宽度为１０ｃｍ￣（－１）～１５ｃｍ￣（－１）；ａ－Ｓｉ∶Ｈ膜经ＸｅＣｌ激光辐照或ＣＯ＿２激光退火后，都会增强晶化膜的吸收效率。
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| 关 键 词： | 氢化非晶硅，脉冲激光，晶化。 |
A STUDY OF THE XeCl PULSE LASER INDUCED CRYSTALLIZATION OF a-Si:H FILMS |
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| Du Kaiying Mo Min.A STUDY OF THE XeCl PULSE LASER INDUCED CRYSTALLIZATION OF a-Si:H FILMS[J].Journal of Sichuan University (Natural Science Edition),1994(1). |
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| Authors: | Du Kaiying Mo Min |
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| Institution: | Department of physics |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | hydrogenated amorphous silicon pulse laser crystallization |
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