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激光退火能量对非晶Si薄膜晶化的影响
引用本文:邓泽超,马娜,褚立志,王英龙.激光退火能量对非晶Si薄膜晶化的影响[J].河北大学学报(自然科学版),2008,28(6):592.
作者姓名:邓泽超  马娜  褚立志  王英龙
作者单位:1.河北大学,物理科学与技术学院,河北,保定,071002; 2.河北大学,图书馆,河北,保定,071002
基金项目:国家自然科学基金,河北省自然科学基金,河北省教育厅基金 
摘    要:采用XeCl准分子脉冲激光,在真空环境中烧蚀单晶Si靶,在Si(111)和石英衬底上沉积生成非晶Si薄膜.在同样的环境下,用激光对非晶Si薄膜进行退火,通过扫描电子显微镜和拉曼光谱仪对退火后的样品进行分析比较.结果表明,激光能量对非晶薄膜的晶化和纳米晶粒尺寸有重要影响.

关 键 词:激光退火  脉冲激光烧蚀  纳米晶粒  晶化  

Influence of Annealed Laser Energy on Crystallization of Amorphous Si Thin Films
DENG Ze-chao,MA Na,CHU Li-zhi,WANG Ying-long.Influence of Annealed Laser Energy on Crystallization of Amorphous Si Thin Films[J].Journal of Hebei University (Natural Science Edition),2008,28(6):592.
Authors:DENG Ze-chao  MA Na  CHU Li-zhi  WANG Ying-long
Abstract:In the vacuum situation,the Si target was ablated by XeCl pulsed laser,the amorphous Si thin films were deposited on the substrates of Si(111) and quartz.Under the same ambient,the as-deposited films were annealed by pulsed laser,then analyzed the as-annealed samples by scanning electron microscope and Raman scattering measurements.The results indicate that the energy of the annealed laser have important effect on the crystallization of the films and the size of nanoparticles.
Keywords:laser anneal  pulsed laser ablation  nanoparticle  crystallization
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