| 粉末溅射制备N-In共掺p型ZnO薄膜 |
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| 引用本文： | 南貌,阮海波,秦国平,孔春阳.粉末溅射制备N-In共掺p型ZnO薄膜[J].重庆师范大学学报(自然科学版),2009,26(2):108-110. |
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| 作者姓名： | 南貌 阮海波 秦国平 孔春阳 |
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| 作者单位： | 重庆师范大学,物理与信息技术学院,重庆,400047 |
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| 摘 要： | 在石英玻璃衬底上以ZnO∶ In2O3粉末为靶材,采用射频磁控溅射法制备出具有良好c轴择优取向的ZnO∶ In薄膜,继而对样品进行二次N离子注入掺杂,成功实现N-In共掺p型ZnO薄膜.借助XRD、Hall测试、XPS和透射谱测试手段研究分析了共掺ZnO薄膜的晶体结构、电学和光学性质.结果表明制备的薄膜具有较高的结晶质量和较好的电学性能,其空穴浓度、迁移率和电阻率分别达到4.04×1018 cm-3、1.35 cm2V-1s-1和1.15 Ωcm.X光电子能谱(XPS)分析显示在p型ZnO薄膜里存在N-In键和N-Zn键,表明In掺杂可以促进N在ZnO薄膜的固溶,有利于N元素在ZnO薄膜内形成受主能级.另外,制备的ZnO薄膜在可见光范围内有很高的透射率,最高可达90%.其常温下的禁带宽度为3.2 eV,相对本征ZnO的禁带宽度略有减小.
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| 关 键 词： | N-In共掺杂 离子注入 p型ZnO 透射谱 |
N-In Co-doping P-type ZnO Films by Powder Sputtering |
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| NAN Mao,RUAN Hai-bo,QIN Guo-ping,KONG Chun-yang.N-In Co-doping P-type ZnO Films by Powder Sputtering[J].Journal of Chongqing Normal University:Natural Science Edition,2009,26(2):108-110. |
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| Authors: | NAN Mao RUAN Hai-bo QIN Guo-ping KONG Chun-yang |
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| Institution: | College of Physics and Information Technology;Chongqing Normal University;Chongqing 400047;China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | N-In codoped ion-implantation p-type ZnO films transmission spectrum |
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