| 射频磁控溅射沉积SiO2膜的研究 |
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| 引用本文： | 刘艳红,郭宝海,马腾才.射频磁控溅射沉积SiO2膜的研究[J].大连理工大学学报,1997,37(2):204-207. |
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| 作者姓名： | 刘艳红 郭宝海 马腾才 |
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| 作者单位： | 大连理工大学三束材料改性国家重点实验室 |
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| 摘 要： | 研究以射频磁控溅射法在Ｓｉ衬底上沉积ＳｉＯ２膜．这一方法避免了高温氧化法对器件性能的损害．在结构和物理性能上对ＳｉＯ２进行了多方面的测试和分析．结果表明，ＳｉＯ２膜具有：１）微晶结构，结构致密、表面均匀、无针孔等．２）优良的物理性能，腐蚀速率（在Ｐ腐蚀液中）０．２０～０．２４ｎｍ／ｓ，击穿场强２．６×１０７～４．４×１０７Ｖ／ｃｍ．可以得出结论：射频磁控溅射法沉积的ＳｉＯ２膜与热氧化法沉积的ＳｉＯ２膜具有相同的物理性质．
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| 关 键 词： | 沉积 硅器件 二氧化硅 薄膜 射频磁控溅射法 |
Studies of SiO 2 films deposited by RF magnetron sputtering |
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| Liu Yanhong,Guo Baohai,Ma Tengcai.Studies of SiO 2 films deposited by RF magnetron sputtering[J].Journal of Dalian University of Technology,1997,37(2):204-207. |
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| Authors: | Liu Yanhong Guo Baohai Ma Tengcai |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | deposition/RF magnetron sputtering SiO 2 films |
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