| 利用背面Ar+轰击改善n-MOSFET饱和区特性 |
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| 引用本文： | 陈平,黄美浅,李旭,李观启.利用背面Ar+轰击改善n-MOSFET饱和区特性[J].华南理工大学学报(自然科学版),2005,33(2):70-74. |
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| 作者姓名： | 陈平 黄美浅 李旭 李观启 |
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| 作者单位： | 华南理工大学,物理科学与技术学院,广东,广州,510640;华南理工大学,物理科学与技术学院,广东,广州,510640;华南理工大学,物理科学与技术学院,广东,广州,510640;华南理工大学,物理科学与技术学院,广东,广州,510640 |
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| 摘 要： | 用550eV的低能量Ar^ 离子束轰击n-MOSFET(n沟金属-氧化物-半导体场效应晶体)芯片的背面，以改善其饱和区的直流特性(如跨导、阈值电压和表面有效迁移率)以及低频噪声等．结果表明，随着轰击时间的增加，跨导和沟道表面有效迁移率先增大后减小，阂值电压先减小后增大，而低频噪声在轰击后明显减小．实验证明，上述参数的变化是硅-二氧化硅界面的陷阱密度和二氧化硅中固定电荷密度在轰击后变化的结果。
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| 关 键 词： | 背面Ar+轰击 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 跨导 阈值电压 噪声 |
| 文章编号： | 1000-565X(2005)02-0070-05 |
| 修稿时间： | 2004年5月21日 |
Improvement of Characteristics in the Saturation Region of n-MOSFET Using Backsurface Ar+ Bombardment |
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| Chen Ping,Huang Mei-qian,Li Xu,Li Guan-qi.Improvement of Characteristics in the Saturation Region of n-MOSFET Using Backsurface Ar+ Bombardment[J].Journal of South China University of Technology(Natural Science Edition),2005,33(2):70-74. |
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| Authors: | Chen Ping Huang Mei-qian Li Xu Li Guan-qi |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | backsurface Ar + bombardment MOSFET transconductance threshold voltage noise |
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