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| Al_2O_3/SiN_X 双层绝缘栅 a-Si : H TFT 的研究 | |
| 引用本文： | 陈斌,徐重阳,王长安,赵伯芳.Al_2O_3/SiN_X 双层绝缘栅 a-Si : H TFT 的研究[J].华中科技大学学报(自然科学版),1998(3). |
| 作者姓名： | 陈斌 徐重阳 王长安 赵伯芳 |
| 作者单位： | 华中理工大学电子科学与技术系 |
| 摘 要： | 研究Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＮＸ双层绝缘栅对ａ－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ性能的影响，介绍Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＮＸ双层绝缘栅的制作方法．双层绝缘栅结构有效地抑制了单层绝缘栅的针孔效应，改善了短接现象，提高了有效介电常数，从而可减小膜厚，提高栅电容，使得阈值电压降低、开态电流上升，获得了１０７的开关电流比． |
| 关 键 词： | a－Si∶HTFT Al_2O_3／SiN_X 绝缘膜 栅电容 阈值电压 |
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