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Ln0.5Sr0.5CoO3-δ薄膜的显微结构及其电学性能研究
引用本文:张利文,丁铁柱,王强,姜涛.Ln0.5Sr0.5CoO3-δ薄膜的显微结构及其电学性能研究[J].内蒙古大学学报(自然科学版),2007,38(4):373-377.
作者姓名:张利文  丁铁柱  王强  姜涛
作者单位:内蒙古大学理工学院物理系,呼和浩特,010021
基金项目:国家自然科学基金 , 内蒙古大学校科研和教改项目
摘    要:采用离子束溅射法在氧化钇稳定的氧化锆(YSZ)衬底上溅射Ln0.5Sr0.5CoO3-δ(Ln=La,Pr,Nd)薄膜,测试了不同工艺制备的Ln0.5Sr0.5CoO3-δ薄膜样品的XRD谱和电导率.分析了薄膜显微结构以及电输运机理.结果表明:在YSZ衬底上生长的Ln0.5Sr0.5CoO3-δ薄膜经过750 ℃热处理后,主要沿《110》方向生长;Ln0.5Sr0.5CoO3-δ薄膜直流电导率的Arrhenius曲线近似直线,表明材料的导电行为符合小极化子导电机制.在所研究的样品中Nd0.5Sr0.5CoO3-δ薄膜的电导率最高.

关 键 词:Ln0.5Sr0.5CoO3-δ薄膜  XRD  电导率  薄膜显微结构  电学性能  研究  Electrical  Properties  Microstructures  Study  Films  薄膜样品  小极化子导电机制  导电行为  材料  近似直线  曲线  Arrhenius  直流电导率  方向  热处理  生长  结果  输运机理
文章编号:1000-1638(2007)04-0373-05
修稿时间:2006-11-282007-05-23

Study on the Microstructures and Electrical Properties of Ln0.5Sr0.5CoO3-δ Thin Films
ZHANG Li-wen,DING Tie-zhu,WANG Qiang,JIANG Tao.Study on the Microstructures and Electrical Properties of Ln0.5Sr0.5CoO3-δ Thin Films[J].Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Neimongol,2007,38(4):373-377.
Authors:ZHANG Li-wen  DING Tie-zhu  WANG Qiang  JIANG Tao
Institution:Department of Physics, College of Sciences and Technology, Inner Mongolia University, Hohhot 010021, China
Abstract:
Keywords:
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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