| 高度择优取向单晶氧化锌纳米线的制备与发光特性 |
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| 引用本文： | 尹晓丽,刘肃,王秀华,陈溶波.高度择优取向单晶氧化锌纳米线的制备与发光特性[J].甘肃科技,2009,25(17):50-52,19. |
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| 作者姓名： | 尹晓丽 刘肃 王秀华 陈溶波 |
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| 作者单位： | 兰州大学,物理科学与技术学院,甘肃,兰州,730000 |
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| 基金项目： | 东南大学MEMS教育部重点实验室开放研究基金 |
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| 摘 要： | 采用电场辅助电化学沉积法,在室温下成功的在阳极氧化铝模板（AAO）内制备了高度择优取向的硫掺杂ZnO单晶纳米线。用X射线衍射仪（XRD）、隧道电子显微镜（TEM）及选区电子衍射（SAED）对样品的形貌、结构进行分析表明,所得样品是高择优取向的单晶,纳米线,长约几到几十微米,平均直径约70nm。X射线光电子能谱（XPS）进一步证实掺杂硫原子的存在,并分析其生长机制。用荧光光谱仪（PL）分析了样品的发光特性,发现除了典型的ZnO纳米线荧光光谱外,还有紫光和蓝光发光。
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| 关 键 词： | 微电子学与固体电子学 单晶ZnO纳米线 电化学沉积 光致发光 |
Luminescence Property and Synthesis of Single-crystal Sulfur-doped ZnO Nanowires in a High Preferential orientation |
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