| 锆对Cr-Si-Al电阻薄膜微观结构和电性能的影响 |
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| 引用本文： | 董显平,林泽伟,吴建生,毛立忠.锆对Cr-Si-Al电阻薄膜微观结构和电性能的影响[J].上海交通大学学报,2003,37(2):236-240. |
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| 作者姓名： | 董显平 林泽伟 吴建生 毛立忠 |
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| 作者单位： | 上海交通大学,教育部高温材料及高温测试重点实验室,上海,200030 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 ( 50 1 31 0 30 ) |
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| 摘 要： | 研究了退火态Cr-Si-Al和Cr-Si-Al-Zr薄膜的微观结构和电性能。结果表明，溅射态非晶薄膜Cr-Si-Al和Cr-Si-Al-Zr在加热到700℃的过程中，主要折出2种晶化相：Cr(Al,Si)2和Si纳米晶化相，其中Cr-Si-Al-Zr薄膜中的晶化相Cr(Al,Si)2包含有少量Zr原子。Zr原子的加入抑制了晶化相的形核和长大，从而Cr-Si-Al-Zr薄膜与Cr-Si-Al薄膜相比，需更高的退火温度才能达到趋于零的电阻温度系数。因此，Cr-Si-Al-Zr薄膜具有更好的电学稳定性能。
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| 关 键 词： | 电阻薄膜 微观结构 晶化 锆 电学稳定性 |
| 文章编号： | 1006-2467(2003)02-0236-05 |
Effect of Zirconium on the Microstructure and Electrical Properties of Cr-Si-Al Resistive Films |
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| DONG Xian ping,LIN Ze wei,WU Jian sheng,MAO Li zhong.Effect of Zirconium on the Microstructure and Electrical Properties of Cr-Si-Al Resistive Films[J].Journal of Shanghai Jiaotong University,2003,37(2):236-240. |
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| Authors: | DONG Xian ping LIN Ze wei WU Jian sheng MAO Li zhong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | resistive films microstructure crystallization zirconium electrical stability |
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