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压力下Al_xGa_(1-x)N/GaN量子点-量子阱中施主与受主杂质态的结合能
引用本文:雷莉萍,石磊,闫祖威.压力下Al_xGa_(1-x)N/GaN量子点-量子阱中施主与受主杂质态的结合能[J].内蒙古大学学报(自然科学版),2019(2).
作者姓名:雷莉萍  石磊  闫祖威
作者单位:内蒙古农业大学理学院
摘    要:采用变分法从理论上对流体静压力下AlxGa1-xN/GaN量子点-量子阱结构中的施主与受主杂质态的结合能进行了研究,数值计算了该结构中杂质态结合能随核尺寸、壳尺寸、Al组分以及压强的变化情况,并对施主杂质和受主杂质的结合能进行了对比分析.结果表明:该结构中的核尺寸对杂质态的结合能影响要远大于壳尺寸对结合能的影响;受主杂质与施主杂质基态结合能随体系尺寸、Al组分以及压强的变化趋势类似,但受主杂质比施主杂质基态结合能要大.

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