| GaInP/(Al_xGa_(1-x))InP多量子阱结构的光荧光特性分析 |
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| 引用本文： | 陈练辉,范广涵,陈贵楚,吴文光,李华兵.GaInP/(Al_xGa_(1-x))InP多量子阱结构的光荧光特性分析[J].华南师范大学学报(自然科学版),2003(3). |
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| 作者姓名： | 陈练辉 范广涵 陈贵楚 吴文光 李华兵 |
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| 作者单位： | 华南师范大学光电子材料与技术研究所，华南师范大学光电子材料与技术研究所，华南师范大学光电子材料与技术研究所，华南师范大学光电子材料与技术研究所，华南师范大学光电子材料与技术研究所 广东广州510631，广东广州510631，广东广州510631，广东广州510631，广东广州510631 |
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| 基金项目： | 国家科技攻关计划基金资助项目(00-068) |
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| 摘 要： | 利用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)技术生长了GaInP/(AlxGa1-x)InP多量子阱(MQW)结构材料,对其进行光荧光特性测量,观察到在波长λ=647 8nm和λ=861 6nm处分别存在一个强发光锋和一个弱发光峰.理论计算和实测结果基本一致.
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| 关 键 词： | 发光二极管(LED) GaInP/(AlxGa1-x)InP 多量子阱 光荧光 |
PHOTOLUMINESCENCE OF GaInP/(Al_xGa_(1-x))InP MULTI-QUANTUM WELL |
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| CHEN Lian-hui,FAN Guang-han,CHEN Gui-chu,WU Wen-guang,LI Hua-bing.PHOTOLUMINESCENCE OF GaInP/(Al_xGa_(1-x))InP MULTI-QUANTUM WELL[J].Journal of South China Normal University(Natural Science Edition),2003(3). |
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| Authors: | CHEN Lian-hui FAN Guang-han CHEN Gui-chu WU Wen-guang LI Hua-bing |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | light emitting diode(LED) GaInP/(Al_xGa_(1-x))InP MQW photoluminescence |
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