| a-Si/CuInSe2叠层太阳能电池中的空间电荷效应 |
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| 引用本文： | 林鸿生,林罡,段开敏.a-Si/CuInSe2叠层太阳能电池中的空间电荷效应[J].中国科学技术大学学报,2000,30(2):174-178. |
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| 作者姓名： | 林鸿生 林罡 段开敏 |
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| 作者单位： | 中国科学技术大学物理系,安徽合肥,230026 |
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| 摘 要： | 基于ｐｉｎ结构的ａ－Ｓｉ：Ｈ太阳能电池中的空间电荷效应，讨论了ａ－Ｓｉ／ＣｕＩｎＳｅ２叠层太阳能电池的稳定性。采用计算机数值模拟方法，得出由光生空穴俘获产生的ａ－Ｓｉ：Ｈ层中正空间电荷密度的增加，改变了电池内部的电场分布，普遍抬高了ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜中的电场强度；在当照射下，空间电荷效应不会给ａ－Ｓｉ／ＣｕＩｎＳｅ２叠层结构中的ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜中的场强度；在光照射下，空间电荷效应不绘给ａ－Ｓｉ／Ｃｕ
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| 关 键 词： | 硅 铜铟硒化合物 空间电荷效应 太阳能电池 薄膜 |
Space Charge Effects in a-Si/CuInSe2 Tandem Solar Cells |
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| LIN Hong-sheng,LIN Gang,DUAN Kai-min.Space Charge Effects in a-Si/CuInSe2 Tandem Solar Cells[J].Journal of University of Science and Technology of China,2000,30(2):174-178. |
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| Authors: | LIN Hong-sheng LIN Gang DUAN Kai-min |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | light induced degradation in a Si:H space charge effect Newton Raphson solution |
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