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1.
LIU Yun-qi 《复旦学报(自然科学版)》2005,44(5)
1Results and Discussion
Organic semiconductors employed as active layers in field-effect transistors (FETs) are of great current interest because such FETs can potentially be fabricated at low cost, over large areas, and on flexible substrates. Such facile fabrication approaches offer a significant advantage over silicon technology in numerous applications. 相似文献
2.
研究多原子极性半导体中强耦合体极化子内部激发态的性质,采用线性组合算符和么正变换方法计算多原子极性半导体中强耦合体极化子的基态能量,第一内部激发态能量和激发能量。 相似文献
3.
This article reviews the recent development of organic electron transport materials applied in the fields of organic photoconductors, light-emitting diodes, field-effect transistors and solar cells. Several technologies for charge carrier mobility measurement are summarized and compared, and a series of basic principles for designing high-performance organic electron transport materials are suggested as well. 相似文献
4.
研究半导体中的多维流体力学模型在球的外部区域上的整体光滑的渐进行为,证明了其依指数形式收敛到稳态解的特性。 相似文献
5.
Co掺杂对Zn1-xCoxO稀磁半导体光学性质的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
溶胶-凝胶法制备了Co掺杂的ZnO基稀磁半导体,研究其粉体和薄膜的结构和光学特性.X射线衍射结果表明Co2 随机替代Zn2 位置进入ZnO晶格,并引起晶格常数的变化.紫外-可见透射光谱表明样品的禁带宽度随着Co掺杂浓度的增大呈现非单调变化规律,低浓度掺杂样品的光学带隙随掺杂浓度增大而减小(红移),这是由于Co2 替代Zn2 ,局域d电子与能带电子之间的sp-d交换耦合引起的. 相似文献
6.
7.
利用基于实空间多重散射的XANES研究了Ga1-xMnxN(x=0.01,0.25,0.10)稀磁半导体中Mn原子的局域结构.结果表明在低Mn含量(摩尔浓度)的Ga0.990Mn0.010N样品中,Mn原子替代了GaN中的Ga,以替位形式存在.当Mn含量增加到0.025时,部分Mn原子处于被4个Ga所包围的间隙位,并与替位Mn原子形成了MnGa-MnI二聚体.当Mn含量进一步增加到0.100时,样品中的Mn原子主要以Mn团簇形式存在. 相似文献
8.
9.
利用固相反应与球磨相结合的方法,制备了(Cu1-xMnx)CrO2 (0≤x≤6 at%) 和 Cu(Cr1-yMny)O2 (0≤y≤6 at%)两个系列的纳米粉体.结果表明,所有样品都具有3R-CuCrO2铜铁矿单相结构.晶格膨胀说明Mn离子已分别固溶到(Cu1-xMnx)CrO2的Cu亚晶格中和Cu(Cr1-yMny)O2的Cr亚晶格中,这在X射线光电子能谱的分析中得到了进一步的证实.B位Mn掺杂样品具有室温铁磁性,磁性源于Cr3+-Mn3+离子对间以空穴为媒介的双交换相互作用.CuMO2(M=Cr,Mn)铜铁矿纳米粉体的饱和磁化强度比文献值高出约一个数量级,并随着Mn含量的增大而逐渐减小,主要受到3个因素的共同影响:M-M离子对数目、M-M离子间距及空穴浓度. 相似文献
10.
基于第一性原理计算方法研究了CdxZn1-xSe三元合金以B3(闪锌矿),硫钒铜矿(P43 m)及四方(P42 m)相存在时的结构、电子和光学特性.对这些三元合金中的晶格常数、体积弹性模量及能带隙的大小对Cd含量x的依赖关系进行了分析.计算和讨论了这些合金中的角动量投影态密度的分布和变化情况.对CdxZn1-xSe三元合金的一些光学特性,如介电函数、折射系数和能量损失函数,也进行了计算和讨论,计算中所用的入射光子能量范围为0~25eV.研究结果与文献中已有的数据相当吻合. 相似文献