分散H∞低阶控制器在不确定电力系统中的应用

提出了一种新的方法为具有不确定性的实际电力系统设计分散鲁棒H∞阻尼控制器。采用多胞型模型将系统运行状态的各种变化描述为以若干个典型运行参数为顶点的凸集。分散H∞控制器的设计可以归结为基于同伦参数法的两个线性矩阵不等式的求解问题。所提的方法可以得出较低阶的鲁棒控制器，具有工程实用性。将其与系统模型降阶法相结合，可进一步减轻计算负担，进而适用于实际电力系统的控制器求解。算法分别用于SVC的分散附加阻尼控制器和19机IEEE标准测试系统的PSS设计。算例结果表明，分散控制器相互协调，不但显著地提升系统的阻尼比，使其具有良好的抗干扰能力，且对于严重故障后产生的持续振荡具有很好的抑制作用。     

汉语元音的非线性预测

最近研究表明非线性的局部模型是最精确的混沌时间序列预测方法之一．同时有研究表明汉语的产生过程包含非线性．传统的语音处理技术忽视了语音中可能存在的非线性结构，因而限制了处理能力的进一步提高．对汉语元音／a／和／u／的细致相空间分析结果表明，汉语元音的重构相空间有类似于混沌吸引子的结构．根据汉语元音发声过程的非线性特性，进一步对其进行相空间的局部线性预测分析，计算了预测误差随预测步长的关系曲线，讨论了嵌入维数对预测性能的影响，并且与传统的线性方法作了比较．结果表明，尽管非线性的局域线性预测法存在计算开销大的问题，但其预测视野要远大于线性预测法，总体预测性能明显优于线性预测法．     

低维Hom-Jacobi-Jordan代数的分类

先定义Hom-Jacobi-Jordan代数, 然后用这类代数线性映射的Jordan标准形和待定系数法给出低维Hom-Jacobi-Jordan代数的同构类.     

半导体纳米线——宏观牛顿世界与微观量子世界的理想桥梁

本文以我们的研究团队自1995年以来在半导体纳米线材料与物理研究中所做的科研工作为主线，从如何自下而上地规模、可控制备硅等半导体纳米线的开创性研究工作开始，着重介绍半导体纳米线独一无二的物理性质的代表性研究工作，以及它们在高品质真空电子源、新型高效光电器件、新能源器件方面的潜在应用的研究成果．最后，对半导体纳米线的未来发展前景进行了展望．     

激光辅助刻蚀硅锗合金样品生成低维片状结构的PL发光

我们用激光辐照辅助电化学刻蚀法在硅锗合金上形成了多种氧化低维纳米结构,特别是硅锗合金薄膜裂解后生成条形片状结构,其条形片表面有纳米颗粒分布。发现这些纳米颗粒经空气氧化后在波长为760nm和866nm处有较强的光致荧光(PL)峰,高温退火后其PL峰(643nm和678nm)有明显的蓝移。实验结果支持量子受限(QC)发光模型。该项工作为制备硅和锗的强发光材料提供了新的方法。     

高分子络合法自组装ZnO纳米结构和形貌调控

研究采用高分子络合法工艺制备ZnO纳米结构材料时晶体尺寸、形貌和质量的控制影响因素和机理.发现ZnO纳米结构的自组装生长由其极性生长特征和高分子网络骨架限域所决定.采用不同络合材料可调控ZnO纳米结构的形貌,如以聚乙烯醇、聚丙烯酰胺等高分子材料作为络合剂时,分别可以得到均匀直径的ZnO纳米棒、纳米线,而作为对比,当以氨水、柠檬酸钠和六亚甲基四胺等小分子材料作为络合剂时,则分别得到ZnO纳米花、纳米片和棒槌状纳米棒;控制适度弱碱性的络合溶液pH值有利于ZnO纳米结构沿［0001］取向生长,在弱碱性溶液中易得到长柱状ZnO纳米线,而在强碱性溶液中易形成短的ZnO纳米棒以至颗粒.     

低维量子系统等离激元介电函数表象变换理论

推导低维量子系统中等离激元介电函数的矩阵表达式，建立了矩阵表达式、张量表达式和傅立叶表达式之间的变换关系.根据有限子带模型,在不同表象下计算量子阱结构和半导体超晶格中等离激元模式的色散关系,并通过数值计算证实了在这3种表象下等离激元介电函数表达式是彼此等价的.     

清华大学凝聚态物理学科的发展历史和最新研究进展

本文首先回顾了清华大学物理系的凝聚态物理学科的发展历程,然后简短介绍了目前学科点的主要研究方向.最后,着重讨论了最近十年中凝聚态物理学科老师在纳米物理、表面物理、超导材料及应用、理论和计算凝聚态物理等几个方面取得的研究进展.     

热电材料低维化的研究进展

热电材料是一种能够实现电能与热能之间直接转换的功能材料,它可提供一种既清洁又安全的发电和制冷方式,具有广泛的应用前景.近年来的理论和实验研究表明,低维化和小尺度化是热电材料研究和开发极具前景的发展方向.低维结构大大提高了费米面附近的态密度,提高了Seebeck系数;将材料的晶粒细化到纳米级别,可以增加对载流子和声子的散...