大豆脲酶基本特性与粉质砂土的固化研究

为解决粉土和粉质砂土孔隙较小,限制了微生物固化技术处理时的效果这一问题,在原有生物固化技术的基础上进行改良,采用大豆脲酶处理粉质砂土,开展了大豆脲酶基本特性试验、穿透试验以及粉粒质量分数为15%的粉质砂土试样固化处理试验.证明了大豆脲酶相对于尿素水解细菌更容易穿透粉质砂土,且处理效果更为均匀,底部的碳酸钙质量分数可达3%以上.     

益生菌酸奶粉的生产及应用研究

综述了益生菌酸奶粉的生产工艺以及在生产应用过程中酸奶粉所发生的质量变化,进一步探讨了其复原过程中的品质特性,最后对益生菌酸奶粉的发展进行了展望.     

FTW150K高比容钽粉研制钽电容器电介质膜形成工艺的研究

研究FTW150K高比容钽粉研制钽电解电容器电介质膜的形成工艺.用例试方法分析,讨论在容量、损耗参数引出难和形成工艺不稳定条件下,钽电解电容器的形成电压、形成电流及形成温度等对电介质膜的影响.结果表明,形成致密的电介质氧化膜是容量引出的关键,当形成电压为额定电压的4～5倍、形成电流为1.76μA时为该实验的最佳工艺条件.     

基于近红外光谱的大鲵黏液粉掺伪的定性定量研究

采用近红外光谱扫描不同掺伪样品,用偏最小二乘线性判别法分别建立掺伪大鲵黏液粉的2分类(纯大鲵黏液粉和掺伪样品)和5分类(纯大鲵黏液粉、掺入土豆淀粉、大鲵肉粉、大鲵蛋白粉和大鲵皮粉)定性判别模型;用偏最小二乘回归分别建立4类掺伪大鲵黏液粉的定量校正模型。结果表明,原始光谱经一阶导数+标准变量变换预处理后,所建2分类和5分类小二乘线性判别定性模型的校正集和预测集均无误判数;大鲵黏液粉掺入土豆淀粉、大鲵肉粉、大鲵蛋白粉和大鲵皮粉的定量预测模型能够较好地验证黏液掺伪成分。     

FTW150K高比容钽粉研制低压高容量钽电容器被膜工艺的研究

对由超细颗粒度、超高比容FTW150K钽粉研制钽电解电容器的被膜工艺进行研究.用例试方法分析,并讨论硝酸锰溶液中添加有机溶剂、硝酸锰的分解条件及不同质量浓度的硝酸锰被覆遍数,对钽电解电容器的电容、损耗、漏电流和等效串联电阻的影响.结果表明,不同的设计工艺参数和工艺路线,对钽电解电容器的电性能参数影响不同.以添加有机溶剂和采用二步法分解的效果最佳,特别是调节和改变溶液的分解温度及环境湿度,硝酸锰溶液可分解成导电性更好的β-MnO_2导电层,使容量容易引出、漏电流和等效串联电阻大大降低.     

矿渣微粉细度对胶结充填体强度的影响

酒钢矿渣属于酸性低活性矿渣,为了激发其潜在活性,解决其强度低的问题,采用机械活化的方式,将熙金公司生产的原状渣粉粉磨1.0 h和1.5 h,以获得不同细度的渣粉,对其进行粒度和微观分析,并在此基础上探究渣粉细度对胶结充填体强度的影响。试验表明:随着粉磨时间增加,矿渣微粉粒径迅速减小,粉磨1.5 h后的矿渣微粉平均粒径从24.31μm减小到12.26μm,降幅达到49.6%;微观分析表明,机械粉磨主要是对矿渣颗粒的粒径和表面形貌产生影响,不会改变其内部晶体结构及物相组成;胶结充填体的强度随着渣粉细度的增大而增大,粉磨1.0 h的中细渣粉3 d、7 d和28 d强度较之于原状渣粉分别提高了33.3%、30%和9.3%,粉磨1.5 h的超细渣粉3 d、7 d和28 d强度较之于原状渣粉分别提高了63%、53.6%和35.2%。     

利用机械力化学活化粉煤灰制备莫来石

为了探索煤化学工程中粉煤灰的高附加值利用途径,利用机械力化学效应激发粉煤灰的潜在活性.以粉煤灰与Al2O3粉末混合样品（MS）为原料,通过机械粉磨的方式进行处理,并在较低温度条件下煅烧制取莫来石.该方法制备莫来石所需的煅烧温度低（1150℃）,成品纯度高（只含莫来石相和玻璃相,其中莫来石质量分数达到92%）.当机械粉磨时间为30h时,最适宜的煅烧温度为1150℃,得到纳米莫来石的晶粒大小为35nm.针对不同粉磨时间的样品,DTA 和XRD分析均表明：机械粉磨的时间越长,样品晶格结构无序化越强,大大降低了固相反应所需的活化能,提高了MS样品的活性,有利于莫来石在低温条件下析出生成.     

利用双发光层结构提高N-BDAVBi掺杂器件的效率

制备了基于N-BDAVBi的高效率双发光层蓝色有机电致发光器件(OLED),器件中将蓝色荧光染料NBDAVBi作为客体发光材料分别掺入主体材料TCTA和TPBi中,器件结构为ITO/m-MTDATA(40 nm)/NPB(10nm)/TCTA:N-BDAVBi(15 nm)/TPBi:N-BDAVBi(15 nm)/TPBi(30 nm)/LiF(0.6 nm)/Al(150 nm),最大电流效率达到8.44 cd/A,CIE色坐标为(0.176,0.314),并且在12 V的电压下,亮度最大达到11 860 cd/m2,分别是单发光层结构器件的1.85倍和1.2倍.器件性能提高主要归因于双发光层扩大了载流子复合区域,主客体间的Forster能量转移.