基于ANSYS Workbench软件的圆锯片基体减振降噪设计

为了设计、生产抗振动、低噪声的圆锯片基体,利用ANSYS Workbench软件进行动态特性分析;通过模态分析,比较圆锯片基体的开孔数量、开孔形状以及孔缝混合结构对其固有频率的影响;通过谐响应分析,比较未开孔圆锯片基体与孔缝混合结构圆锯片基体的应力分布;通过声场特性分析,验证孔缝混合结构对圆锯片基体的抗振降噪效果。结果表明:相对于未开孔的圆锯片基体,具有孔缝混合结构的同阶固有频率降低,应力减小,并且在900～980 Hz频率范围内,其声功率级较低,可作为工作转速的参考数据;孔缝混合结构有效地降低了圆锯片基体的振动和噪声。     

凹凸棒土管状膜组件的制备及其性能研究

以六偏磷酸钠作为分散剂,将纳米级凹凸棒土粉体在水相中分散制成稳定悬浊液,通过浸浆成膜法在管式Al2O3微滤陶瓷基体通道内表面成膜,并在650℃下采用固态粒子烧结法制备不对称凹凸棒土膜。利用压汞法、X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)分别对基体和凹凸棒土膜进行了表征。结果表明:凹凸棒土膜的平均孔径为35.56 nm,远小于基体平均孔径(~8μm);煅烧成膜前后凹凸棒土的晶相结构未发生显著变化,成膜后凹凸棒土晶格内依然保留着原有金属氧化物的相关晶相。构建凹凸棒土管状膜组件,以错流截留模式对模拟磷酸盐以及含铁离子废水进行处理,研究表明管状膜组件对远小于其孔径的PO3-4(水合半径0.339 nm)和Fe3+(水合半径4.57 nm)均有去除效果,其去除率可达40%和66%左右。     

“基底-立柱-岛体”型结构化基体的尺寸对柔性太阳能电池的影响

将柔性太阳能电池基体的基底与岛体之间增加一个方形立柱来隔离基底的变形,使基体形成了"基底-立柱-岛体"的结构,此结构的尺寸对柔性太阳能电池的延展性有显著影响。应用有限元方法分析发现:(1)立柱的宽度对界面力和Ga As电池应变的影响特别显著,且立柱宽度小于300μm时基底以上的结构因立柱失稳而倾斜;(2)立柱与岛体的厚度对界面力和Ga As电池应变的影响程度比立柱的宽度影响要小,基底高度的影响相比于立柱的宽度可以忽略不计;(3)保护膜厚度越大对Ga As电池和界面力的影响都会增大。研究成果为太阳能电池基体的优化设计提供了理论依据。     

基体改进剂用于GFAAS测定高盐食品中铅的研究

为建立基体改进剂测定高盐食品中铅的方法,使用硝酸钯、硝酸镁-磷酸二氢铵、硝酸钯-磷酸二氢铵、硝酸钯-硝酸镁4种基体改进剂,优化灰化温度,并结合标准加入法,消除高盐食品的基体干扰。对试验条件进行优化比较,并对氯化钠的干扰影响、回收率、方法检出限、精密度及有证标准物质的分析结果进行考查。结果表明:以0.1%Pd(NO3)2+1%NH4H2PO4混合液为基体改进剂时,对含盐量为16.35%、8.18%、4.09%的酱油的铅含量测试时的线性、精密度、回收率、检出限都能满足试验的基本要求;以0.1%Mg(NO3)2+1%NH4H2PO4混合液为基体改进剂时的效果不能满足试验要求。     

基体分子量对PP/POE共混体系脆——韧转变的影响

通过临界基体层厚度理论研究了基体分子量对PP/POE共混体系脆韧转变的影响.结果表明,在相同的基体分子量下,脆韧转变温度随基体层厚度增大而增大.PP/POE共混体系的临界基体层厚度（IDc）随基体分子量地增加而减小.PP/POE共混体的脆韧转变既可以在较小的基体层厚度,较低的温度下获得;也可以在较大的基体层厚度,较高的温度下获得.     

基体温度和氩气压强对射频磁控溅射制备GZO薄膜性能的影响

采用射频磁控溅射方法,用Ga2O3含量为1%的ZnO做靶材,在不同基体温度和不同溅射压强的条件下制备了高质量的GZO透明导电薄膜.结果表明:基体温度和氩气压强对GZO薄膜的晶体结构、光电性能有较大影响.当温度为500℃,溅射气压为0.2Pa时制备的GZO薄膜光电性能较优,方块电阻为7.8Ω/□,电阻率为8.58×10-4Ω.cm,可见光的平均透过率为89.1%.     

ICP-OES测定金属饰品铅、镉总量中的基体匹配

在用ICP-OES检测金属饰品中铅、镉含量过程中,要考虑基体效应。本文通过对GBW02702锌的检测,研究了不同基体浓度(400mg/L-24000mg/L)下,只进行酸基体匹配对结果的影响。     

氢化物-石墨炉原子吸收光谱法测定环境水样的痕量硒

选用钯-镍-硝酸镁为基体改进剂，以氢化物-石墨炉原子吸收法成功测定环境水样中不同价态的硒。该方法灵敏度高、重现性好，检出限为0.01ng／mL，回收率为95％～106％，测定结果满意。     

SnBi／Cu界面Bi偏聚机制与时效脆性抑制

长期时效的SnBi／Cu界面出现的Bi偏聚导致的界面脆性大大限制了Sn．58Bi低温无铅焊料的使用，因此有必要在理解其产生机制的基础上研究抑制界面Bi偏聚及时效脆性的方法．本文首先根据SnBi／Cu焊接界面在液态反应（回流焊接）和固态时效过程中的Bi偏聚行为讨论了偏聚形成的机制，而后阐述了Cu基体合金化和回流温度对Bi偏聚行为的影响，并讨论了合金化抑制Bi偏聚的微观机制．此外还比较了SnBi／Cu和SnBi／Cu．X焊接接头的拉伸、疲劳性能和断裂行为，证明了在消除界面Bi偏聚之后SnBi／Cu界面在拉伸和疲劳载荷下均不会出现脆性断裂，最后基于以上理解提出了消除界面脆性的新工艺方法     

铁磁基体处覆盖层磁化分布

研究铁磁体表面上形成的覆盖层的磁化分布，得到了垂直磁化或平行磁化时铁磁体内磁化强度、覆盖层内各向异性常数和层与基体间交换常数满足的关系。