科技要闻

建立检测单碱基多态性方法中国科学院长春应用化学研究所电分析化学国家重点实验室董绍俊研究员课题组利用化学法,通过血红素与石墨烯之间π-π相互作用合成了血红素功能化的石墨烯纳米杂     

四方晶系下钕离子的基态分裂

采用点电荷晶场模型,通过模拟四方晶系化合物NdCuAs2和Nd2Ge2In的磁化率倒数-温度曲线,得到了Nd3+的各级分裂能和相应波函数,并分析了晶场效应对化合物磁性质的影响.结果表明,Kramers离子Nd3+的十重简并基态4I9/2在晶场效应的作用下分裂为5个双态,计算结果与实验吻合得较好.     

电子效应参数和拓扑指数用于双苯甲酰胺环脲衍生物—HIV—1蛋白酶抑制剂的QSAR研究

基于基因的电子效应和分子图的拓扑性质，计算了极化效应（PE），场效应（F），共轭效应（C）和边度－距离指数（ED），并用其对29个双苯甲酰胺环脲衍生物的抗HIV－1蛋白酶性进行相关分析，得到较高的相关系数（r=0.9085)，和较低的标准偏差（s=0.26)，表明从电子效应和拓扑性质方面探讨化合物结构－活性之间的关系是一条新的切实可行的思路。     

可在p型与n型间转换的新式晶体管问世

[科技日报]据美国物理学家组织网12月21日(北京时间)报道,德国科学家研制出一种新式的通用晶体管,其既可当p型晶体管又可当n型晶体管使用,最新晶体管有望让电子设备更紧凑;科学家们也可用其设计出新式电路。相关研究发表在最新一期的《纳米快报》杂志上。目     

微/纳尺度高功率电子器件产热与传热特性

传统的宏观传热理论难以准确表征几何结构尺度小于或接近声子平均自由程的高功率电子器件的产热与传热过程,此时器件中能量激发的时间尺度与声子的特征时间尺度相当,甚至小于声子的特征时间尺度,不能满足传统传热理论的假设.本文针对微/纳尺度场效应晶体管的工作过程,建立描述其内部产热及传热特性的多尺度格子-Boltzmann介观模型,通过在模型中引入源项去描述器件内部电子和声子的相互作用,分析计算不同工作状态下晶体管单元的温度分布特征,研究热管理方式对晶体管温度分布的影响,从微/纳尺度揭示了场效应晶体管的产热机理及传热特性,为热设计工作者提供一定的理论依据.     

利用离子注入技术制备新型结构SiC器件的展望

作者介绍了SiC MESFET(metal semiconductor field effect transistor,金属半导体场效应晶体管)器件的优点和离子注入技术在SiC器件制备中的发展趋势,提出一种用离子注入技术制备新型结构的SiC MESFET器件的方法,讨论了这种新型结构的优点,最后给出用离子注入技术制备SiC MESFET器件的设计过程。     

丙酮离子传感器的制备

本文提出了一种丙酮离子传感器的制备方法。采用纳米结构的SiO2和Ta2O5制作出敏感膜,涂覆在MOSFET的金属栅极上从而得到氢离子敏场效应传感器,将丙酮溶液采用催化剂热解离法解离出氢离子之后,再用离子敏场效应传感器检测氢离子,从而间接的实现了丙酮的检测。     

芳香性的本质——π对称场效应能FE_π的研究(Ⅱ)

在［１］的工作基础上，进一步以ＦＥπ＝Ｅｄｅｌｏｃ环－∑ｉ＝１（２ｎβ－ＲＥ）Ｎｉ＋３ｎ－０．１∑πｅ－６６对辐射多烯分子，轮烯等系列分子场效应能计算；阐述“π－对称性”的普遍性。提出一新的分子结构稳定性判据△ＦπＥ，该判据也适用芳香性的判定。     

平面分离双栅金属氧化物半导体场效应晶体管

首次提出并制作了一种全新的平面分离双栅金属氧化物半导体场效应晶体管，该器件垂直于沟道方向的电场Ez为一非均匀场。理论计算，TCAD三维器件仿真以及实验结果均表明，通过改变该器件其中任何一个栅极偏置电压，能够得到可以调节的输出特性（增益系数）及转移特性曲线，可以很方便地调节器件的阈值电压及亚阈值摆幅，并具备低功耗特点。这为电路的设计及器件制作提供了更多的灵活性，既可以简化电路的设计，又可以降低MOS集成电路制造工艺的复杂程度。平面分离双栅金属氧化物半导体场效应晶体管制作工艺与目前常规的CMOS工艺完全兼容。     

电解液栅型碳纳米管场效应晶体管的实验研究

由于碳纳米管具有独特的结构和性能,因而一直受到人们的关注.对于包括碳纳米管场效应管在内的分子元件的研究方面尤其令人注目.笔者研究了具有电解液栅的碳纳米管场效应晶体管,研究中所用的碳纳米管是用热灯丝化学气相沉积法(CVD)合成的.衬底材料是平面玻璃,Fe/Ni混合物用作催化剂.对具有Ag电极的多壁碳纳米管晶体管作了优化设计制造,并利用KCl溶液作为栅极.实验结果表明,电解液栅型碳纳米管晶体管(FET)呈现出良好的电流-电压特性曲线.在栅压2 V时,其跨导约为0.5 mA/V.并对获得的研究结果进行了讨论.