Bi系高温超导带材冷压工艺优化试验

采用套管法（ＰＥＴ）制备Ｂｉ系高温超导带材,进行了冷压工艺的优化研究。试验结果表明,Ｂｉ系带材所能承受的压力有一个限值,若超过这个限值后,密度虽可提高,但晶粒破碎严重Ｊｃ值反而降低,带材优化的冷压工艺参数是８３８℃／６０ｈ＋冷压＋８３８℃／６０ｈ。第１次压力为２ＧＰａ,第２次２．５ＧＰａ;冷压压下速率为１．５×１０＾－４ｍｍ／ｓ。同时研究还表明冷压的主要作用是提高带材的致密度和晶粒取向度,最终改善     

用随机矩阵理论计算常规超导金属纳米粒子的磁化率

从约化BCS哈密顿量出发，考虑随机矩阵理论中高斯正交系综和高斯辛系综所对应的电子能级分布，用配分函数的静态路径积分表示方法，计算了常规超导金属纳米粒子正常-超导相变临界区域附近的磁化率，得到了量子效应、奇偶效应、小尺寸效应导致超导金属纳米粒子的磁化率偏离块状超导体的磁化率的性质曲线。     

发动机用新型超导电磁减振器研究

针对传统减振器在性能上的固有缺陷，提出了用超导技术进行新型减振器设计，并对新型超导减振器的减振原理和产品结构进行了初步研究，探讨了新型超导减振器的控制方式，为进一步完善该产品性能提供了技术依据．     

无损耗电阻器的设计方法

利用超导线圈的纯电感器可以模拟成无损耗电阻器，这种新型器件在性能上与电阻器相似，但不产生功率损耗。本文提出了一种用双线性变换法设计无损耗电阻器的方法，并对无损耗电阻器的实现与控制进行了论述。     

自旋1/2态下的量子逻辑变换

作者利用对自旋算符的量子线性变换理论，提供了一种考察自旋1/2态下的量子逻辑门变换的一种有效方法，并给出了几个基本量子逻辑操作的变换表达式。     

激光扫描淀积原位生长高TC超导薄膜

用激光束扫描淀积的方法，成功地在ＺｒＯ２（Ｙ），ＬａＡｌＯ３基片原位生长高质量的ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ高温超导薄膜，其临界温度达到９０Ｋ以上，ＳＥＭ及ＸＲＤ分析表明，薄膜沿Ｃ轴择优外延生长，其结晶性很好，表现光滑均匀。     

RSFQ可控时钟信号发生器

设计了一种新的产生RSFQ时钟信号的电路,并利用W IN S软件对电路进行了模拟.它可以产生连续脉冲,脉冲的周期由电路中约瑟夫林传输线的长度决定,可以产生周期约10 ps的连续脉冲.经过扩展,这种电路能通过输入触发脉冲实现振荡的停止,从而产生固定个数的时钟信号,产生时钟信号的数目由启动信号和停止信号的时间差决定;在电路中使用多路开关,还可以在不改变硬件电路的条件下,通过输入触发信号来改变输出时钟信号的周期.     

高温超导滤波器研制

设计并制作了中心频率为2 007.5MH z,带宽为15MH z的6阶T l2B a2C aCu2O8高温超导微带滤波器.采用在谐振器之间插入微带条来微调耦合间距的办法,提高了设计的精确度.实测结果表明滤波器的最小插入损耗为0.25 dB,带外抑制约60 dB,带内波纹为0.16 dB,中心频率、带宽以及边带陡峭度等都与仿真结果吻合较好,验证了设计与制作的一致性.     

Fabrication of MgB2 superconducting films by different methods

MgB₂ superconducting films have been successfully fabricated on single crystal MgO(111) and c-AL₂O₃ substrates by different methods. The film deposited by pulsed laser deposition is c-axis oriented with zero resistance transition temperature of 38.4 K, while the other two films fabricated by chemical vapor deposition and electrophoresis are c-axis textured with the zero resistance transition temperature of 38 K and 39 K, respectively. Magnetization hysteresis measurements yield critical current density J_c of 10⁷ A/cm² at 15 K in zero field for the thin film and of 10⁵ A/cm² for the thick film. For the thin film deposited by chemical vapor deposition, the microwave surface resistance at 10 K is found to be as low as 100 μΩ, which is comparable with that of a high-quality high-temperature superconducting thin film of YBCO.