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1.
《复旦学报(自然科学版)》2007,(5)
1 Results In this contribution we present the synthesis and characterization of novel copolymers based on fluorene and thiophene (see Scheme 1).They were synthesized by the Pd-catalyzed Suzuki coupling reaction of 9,9-dihexylfluorene-2,7-diboronic acid bis(1,3-propanediol) ester and 3-substituted (R=3-methylbutyl,hexyl,2-(pyren-1-yl)vinyl) 2,5-dibromothiophenes and characterized by GPC,IR and NMR techniques.UV-vis absorption,photoluminescence (PL) and electrochemical behavior of these polymers were also... 相似文献
2.
田敬民 《西安理工大学学报》1994,10(2):105-110
多孔硅是晶体硅片在氢氟酸溶液中进行阳极氧化,在硅衬底上形成多孔态的硅材料。本文介绍了多孔硅的形成和结构形貌,对其光学性质和发光机制进行了扼要讨论,并介绍了当前多孔硅研究中的一些热点问题。 相似文献
3.
采用水热法合成了含混合配体的铜配合物[CuClPhen]+·[HL]-·2H2O(HL=5-硝基间苯二甲酸,Phen=1,10-菲咯啉),其结构由单晶X射线晶体学确定。标题化合物在三斜空间群P-1的晶体化合物。标题化合物的晶体数据:C32H24ClN5CuO8,Mr = 704.54,a = 10.4044(5),b = 12.3912(9),c = 12.4632(9)Å,α = 73.859(6),β = 85.036(5),γ = 78.202(5)°,V = 1510.09(17) Å3,Z = 2, T = 293(2) K,Dc = 1.549 g/cm3,μ(MoKα) = 0.874 mm-1,F(000) = 720.0,R = 0.0554,wR = 0.1434,GOF = 1.098。当用作超级电容器电极材料时,所制备的配合物具有高比电容、良好的循环稳定性和优良的倍率性能。在1mol/L KOH溶液中,最大比电容可达到69 F/g。在2 A/g电流密度下,10000次循环后比电容保持率为72%。标题化合物是一种潜在的红色光致发光材料。 相似文献
4.
以0.1mol·dm-3的Zn(NO3)2水溶液为电解质溶液,以99.9%Zn片作阳极,采用方波脉冲电流法在氧化锡铟(ITO)导电玻璃基底上阴极电沉积,得到了透明的ZnO薄膜.采用X射线衍射分析、扫描电镜和荧光光谱技术,测试了薄膜的结构、表面形貌和光学特性.用同样方法在多孔硅衬底上电沉积ZnO薄膜,经过1000℃氧气氛下热处理1h,在紫外光照射下可发射强绿色荧光. 相似文献
5.
Zn_2SiO_4:Mn纳米微晶薄膜的溶胶-凝胶法制备及其光致发光性质研究 总被引:3,自引:0,他引:3
以硝酸锌,硝酸锰,正硅酸乙酯,无水乙醇为主要原料,用溶胶-凝胶提拉法制备了Zn2SiO4:Mn薄膜.并利用XRD、SEM、荧光分光光度计和多频荧光寿命仪等对薄膜进行了分析.结果表明,采用上述先驱物通过溶胶-凝胶过程可获得均匀致密的薄膜.在空气中干燥后于适当温度下热处理可得到纳米微晶Zn2SiO4:Mn薄膜.其荧光寿命从常规粉末材料的的ms量级缩短至ns量级 相似文献
6.
采用溶胶-凝胶、化学掺杂方法制备了Mn2 、Ce3 离子掺杂Zn2SiO4材料;用X射线衍射仪、透射电子显微镜、吸收光谱仪以及荧光光谱仪对其结构、形貌和光致发光性能进行测试分析;结果表明,900℃热处理基本形成Zn2SiO4晶体,一次颗粒尺寸大约为200 nm左右;在空气中1 100℃和H2气氛中900℃热处理后,样品中存在2个发光峰:Mn2 产生的522 nm强绿光发射,Ce3 离子产生的398 nm弱紫光发射。 相似文献
7.
在有效质量近似框架内,运用变分方法,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了含类氢杂质的G aN/A lxG a1-xN量子点中的激子态.结果表明:量子点中心的类氢杂质使激子的基态能降低,结合能升高,Q D系统的稳定性增强,光跃迁能减小;杂质位于量子点上界面时,激子的基态能最小,结合能最大,系统最稳定;随着杂质从量子点的上界面沿着z轴移至下界面,激子基态能和光跃迁能增大,结合能减小. 相似文献
8.
采用RF磁控溅射技术制备含纳米硅的SiO2薄膜.通过对Si-SiO2复合靶的比分进行调节控制,并在不同的温度下进行高温退火得到不同粒径的纳米硅.利用XRD对样品进行分析得出纳米硅的平均粒径;对样品测量光致发光谱,其发光峰分别位于361 nm和430 nm,比较发现光致发光的峰位随比分的改变有微小的蓝移.文中对发光机理进行初步讨论. 相似文献
9.
利用射频磁控溅射复合靶技术,通过调节复合靶的百分比制得富硅的氧化硅薄膜,并在不同的温度下退火,制得含纳米硅的氧化硅薄膜.通过Raman谱的测量,计算出800℃退火的薄膜中纳米硅晶粒的平均尺寸为5.6 nm,用X射线衍射测量同样的样品得出其粒径为6.0 nm.在室温下测量光致发光(PL)谱,探测样品的峰位为360 nm,并结合光致发光激发谱(PLE),研究相应的激发与发光中心. 相似文献
10.
采用分解GaP这一新型固态P源分子束外延在GaAs衬底成功制备了InGaP外延薄膜.3μm厚的InGaP外延层低温荧光峰位是1.998 eV,半峰宽为5.26 meV.双晶摇摆曲线的线宽同GaAs衬底相近.霍尔测量非故意掺杂InGaP外延层的室温迁移率同其他源或其他方法生长的外延层结果类似. 相似文献