磁光光盘动态性能的研究

该文报道了所研制的具有AIN/TbFeCo/AIN/AI四层结构磁光光盘的动态性能测试结果.当记录信息位尺寸为1μm时,信息读出载噪比大于45dB,载噪比随盘片径向位置而异.文中根据测试结果,讨论了影响载噪比的诸因素.     

SmCo5硬磁薄膜的制备研究

以Cr层为底层和保护层,采用直流共溅射的方法在Si基片上制备了Cr(80 nm)/SmCo5(300nm)/Cr(8 nm)薄膜,并对样品进行550℃保温30 min的退火,然后分别利用EDX射线能谱仪、X射线衍射仪、原子力显微镜、振动样品磁强计分析研究了退火前后SmCo5薄膜样品的成分、结构、表面形貌、磁学性能及其变化规律.结果表明:在10-4Pa真空环境下,SmCo5薄膜在550℃退火,保温30 min后具有较好的硬磁性能,矫顽力Hc为1 738 Oe.     

镶嵌纳米碳粒氧化硅膜的电致发光研究

采用复合靶磁控共溅射法制备了含纳米碳粒的氧化硅薄膜．测量显示，随着正向偏压的增加，来自Au／含纳米碳粒氧化硅膜／p-Si结构的电致发光峰位于650nm处几乎不移动．     

Ge量子点材料的制备工艺研究

采用射频磁控技术,用Ge、SiO_2的复合靶制备锗纳米晶镶嵌在二氧化硅中的复合薄膜.作为量子点的Ge纳米晶粒的尺寸是决定这类材料物性的关键,因而研究对镶嵌在SiO_2中的Ge晶粒尺寸调制的工艺十分重要.本文研究了制备过程中各种工艺参数与薄膜中Ge晶粒尺寸的关系.结果表明通过溅射时控制基片温度能有效地对锗晶粒尺寸进行调制.     

A combinatorial approach of developing alloy thin films using co-sputtering technique for displays

In this study we have used a combinatorial approach for producing binary and ternary alloy thin film libraries using a lab-scale RF co-sputtering system.Initially we used two elemental sputtering targets,i.e.aluminum(Al) target and neodymium(Nd) target,to produce a film library of varying composition and successfully identified a suitable composition range(1.95-2.38 at%Nd) in which resistance to hillock formation and resistivity of the film spots were found to be satisfactory in annealed state(350°C,30 min) .In another case,in order to form ternary alloy composition library we have used two sputtering targets,i.e.an Al-0.5 at%Nd alloy target and an elemental Ni target.Though,co-sputtered Al-0.6 at% Nd-0.9 at%Ni alloy films showed satisfactory resistance to hillock formation and low resistivity after annealing,film deposited from a ternary alloy target with the same composition failed to show satisfactory resistance to hillock formation during annealing.In case of Al-0.6 at%Nd-0.9 at%Ni alloy target,250 nm thick film showed poor resistance to hillock formation than the 500 nm thick film.This clearly showed thickness-dependent hillock performance of Al-0.6 at%Nd-0.9 at%Ni alloy.In this study it was found that,in addition to the process variables,metallurgical microstructure of the alloy sputtering targets had significant effect on the film properties which was not obvious from the results of films deposited using co-sputtering of the individual elemental targets.     

铝铅均质合金膜的制备与研究

利用磁控共溅射法制备Al-Pb合金薄膜.运用SEM、EDS、TEM对薄膜成分、结构进行分析,用分子动力学模拟薄膜中Al、Pb原子的聚集状态.结果发现铅含量影响着Al-Pb合金膜的结构,靶材中Pb的原子分数控制在4%范围内时,薄膜中Al和Pb在纳米级范围内可以实现均匀混合,得到均质合金膜.随着Pb含量的增加薄膜中Pb原子...     

磁控共溅射法制备Zn_(1-x)Cr_xO薄膜及其结构性能

本文采用磁控共溅射方法在玻璃衬底上制备了Cr掺杂ZnO薄膜,通过改变Cr溅射功率,从而改变Cr的掺杂量.介绍了Zn1-xCrxO薄膜的制备方法,分别用X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)对不同Cr溅射功率的一系列薄膜的结构,成份、元素含量及价态等性能进行了分析.结果表明,Cr溅射功率为20 W的样品,具有最好的c轴择优取向,Cr以+3价形式掺入薄膜中,Cr3+替代了部分Zn2+.     

[FePt/Ta]5Ta多层膜的磁性和磁后效

采用磁控溅射法制备了[FePt/Ta]5Ta多层膜,通过XRD检测样品为单相L10结构,没有发现杂相.利用Preisach模型得到的结果和实验一致,并在此基础上研究了单场磁后效行为.     

富Si-SiO_2薄膜的制备、结构及光致发光特性的研究

利用双离子束溅射沉积共溅射方法制备了富Si SiO2 薄膜 ,研究了沉积参数、时间、工作气压PAr、基片温度等对沉积速率的影响 ,用TEM和XRD分析了样品的结构 ,当基片温度Ts <4 50℃时 ,所制备一系列样品均为非晶结构 ,当沉积基片温度较高时 (Ts ≥4 50℃ ) ,薄膜样品中才出现Si的颗粒 我们还分析了样品的室温光致发光现象 ,从PL谱中可以看出 ,样品有～ 32 0nm、～ 4 10nm、～ 560nm和～ 630nm四个PL峰 ,并对其发光机理进行初步探讨     

GaAs纳米颗粒镶嵌薄膜的制备及光电子能谱研究

采用射频磁控共溅技术成功制备GaAs半导体纳米颗粒镶嵌薄膜，GaAs在薄膜中所占分子百分比达19．0％，光电子能谱分析表明随着基片温度升高，薄膜中元素Ga，As的被氧化程度有所增强，但元素Ga，As仍主要以化合物半导体GaAs的形式，元素Si,O主要以SiO2分子的形式存在于复合薄膜中。