钛酸铋的热力学理论

利用点群４／ｍｍｍ的对称性给出了应力作用下的钛酸铋的弹性吉布斯自由能的表达式，并导出了自发应变，介电性质和压电性质。     

前驱体溶液pH值对溶胶凝胶制备钛酸铋薄膜的影响

采用溶胶凝胶技术在石英玻璃基片上制备钛酸铋薄膜,讨论了前驱体溶液的酸碱度（ｐＨ值）对薄膜结构和结晶性的影响．ｐＨ＜２和ｐＨ＞３５的前驱体溶液所制备的薄膜在晶化过程中出现Ｂｉ２Ｔｉ２Ｏ７和Ｂｉ２Ｔｉ４Ｏ１１杂相．ｐＨ＝２５～３５的前驱体溶液制备的薄膜是钙钛矿Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２结构的取向薄膜     

Bi4Ti3O12铁电薄膜溶胶—凝胶法制备过程中Bi—Ti溶胶的匀胶规律研究

介绍了Ｓｏｌｇｅｌ法制备Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜的工艺过程,研究了ＢｉＴｉ溶胶在Ｓｉ基片上的匀胶规律;用ＴＧＤＴＡ和ＴＥＭ技术研究了ＢｉＴｉ干凝胶的形态,并成功地在Ｐｔ／Ｔｉ／Ｓｉ基片上制备了ｃ轴取向的Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜．     

气固相同晶取代法Ti—ZSM—5沸石的表征及催化性能

以ＴＥＡＢｒ作为模板剂合成的ＺＳＭ－５沸石为母体,采用固相同晶取代法制得Ｔｉ－ＺＳＭ－５沸石。苯酚与稀双氧水的羟基化反应结果表明,Ｔｉ－ＺＳＭ－５沸石具有显著的催化性能。     

MEVVA源强流Ti离子注入纯铜表面层的结构与性能研究

采用金属蒸气真空弧(MEVVA)离子源技术对强流Ti离子束注入到纯铜表面的结构和性能进行了系统的研究.材料表面层的机械性能测试表明:强流Ti离子注入纯铜后材料表面的硬度和耐磨性均有提高,相对于纯铜基体,5×1017 cm-2注量注入可以使材料表面硬度提高2.3倍,使表面摩擦因数下降14%.注入层的X射线结构分析表明:金属离子注入后,在纯铜表面注入层中析出了合金相,合金相的析出是材料的表面硬度和耐磨性提高的主要因素.     

光子晶体用PS/Ti(OBu)4复合乳胶粒的制备

将乳液聚合形成的聚苯乙烯乳胶粒子在苯／无水乙醇／钛酸丁酯的混合液中溶胀，使钛酸丁酯在溶胀吸附过程中进入乳胶粒内部，以构制复合乳胶粒子，并用红外光谱、透射电镜和差热分析等方法对复合乳胶粒子的组成、形貌、热稳定性和热转变进行了研究。结果表明，在苯／无水乙醇／钛酸丁酯混合介质中，聚苯乙烯乳胶粒并不溶解，但可以溶胀，并吸入钛酸丁酯，经水解后，形成聚苯乙烯／二氧化钛乳胶粒，二氧化钛最高含量可达10％左右。     

Si含量和基片温度对Ti-Si-N纳米复合薄膜的影响

通过多靶磁控反应溅射方法沉积了Ti-Si-N系纳米复合薄膜。采用电子能谱仪（EDS）、X－射线衍射（SRD）、透射电子显微镜（TEM）、X－射线光电子能谱（XPS）和显微硬度仪分析Ti-Si-N系薄膜的微观结构和力学性能，以及基片温度对薄膜微结构和硬度的影响。结果表明，薄膜中的Si以非晶Si3N4形式抑制TiN晶粒的生长，使之形成纳米晶甚至非晶；薄膜硬度在a(Si)=4.14%时达到最大值（36GPa），继续增加Si的含量，薄膜硬度逐渐降低。基片温度的提高减弱了Si3N4对TiN晶粒长大的抑制作用，因而高的沉积温度使薄膜呈现出硬度峰值略低和硬度降幅减缓的特征。     

Bi含量对SrBi4Ti4O15铁电材料性能的影响

~~Bi含量对SrBi_4Ti_4O_(15)铁电材料性能的影响@朱骏$扬州大学物理科学与技术学院!江苏扬州,225002 @毛翔宇$扬州大学物理科学与技术学院!江苏扬州,225002 @卢网平$扬州大学物理科学与技术学院!江苏扬州,225002 @惠荣$扬州大学物理科学与技术学院!江苏扬州,225002 @陆文峰$扬州大学物理科学与技术学院!江苏扬州,225002 @陈小兵$扬州大学物理科学与技术学院!江苏扬州,225002~~~~~~~~     

纳米复合Ti(C,N)基陶瓷烧结晶粒长大的特性

利用材料热力学原理，推导出纳米复合Ti(C，N)基金属陶瓷烧结过程中，晶粒生长速度与大、小颗粒半径之间的关系，并结合实验结果进行了分析．结果表明：纳米复合金属陶瓷在烧结的开始阶段，大晶粒的长大速度呈加速趋势，当大晶粒长大到一定程度时，其长大速度达到最大值，随后，速度逐渐减慢．采用放电等离子烧结、脉冲烧结等方法有可能进一步减小小颗粒的半径．Mo、WC、TiN的加入，抑制了沉淀—析出过程的进行，对晶粒的长大有一定的抑制作用．     

烧结温度对细晶粒Ti(C,N)基陶瓷组织和性能的影响

采用真空烧结工艺制备超微、纳米复合Ti(C，N)基金属陶瓷．研究了烧结温度对超微、纳米复合Ti(C，N)基金属陶瓷的显微组织、性能的影响，并用SEM观察试样的断口形貌．结果表明，随着烧结温度的升高，陶瓷材料的显微组织逐渐变得均匀致密，晶粒长大不明显，环形相逐渐变得完整；当烧结温度超过1450℃，晶粒会明显长大，环形相变厚、变脆，导致材料的性能下降．进一步分析表明，超微和纳米复合Ti(C，N)基金属陶瓷的最佳烧结温度分别为1410℃、1450℃．