E类射频调谐功放的分析与设计的新方法

介绍了Ｅ类调谐功放的主要特点，提出了一种分析与的新方法，实验结果与理论分析基本相符。     

基于RFW102的低功耗无线数字收发电路

利用RFW102无线收发芯片,选择合适的微控制器,设计出工作在2.4GHz的无线数字收发电路.并以AD7416温度测量元件为例,简单介绍了此无线收发电路在无线传感器中的应用.与有线方式比较,具有可靠性高、安装容易、重复使用性和系统维护性好等优点.     

射频溅射金属前驱体硫化法制备的Cu2ZnSnS4薄膜

采用射频溅射技术沉积Cu／Sn／Zn金属前驱体叠层结合硫化技术在玻璃衬底上成功制备了Cu2ZnSnS4薄膜。X-射线衍射分析表明，通过优化制备条件可以获得单一黝锡矿结构且具有（221）择优取向的Cu2ZnSnS4薄膜。霍尔效应和紫外可见透过谱测量表明，样品的薄膜电阻、吸收系数和光学带隙分别达到0．073Ω·cm，10^4cm^-1和1．53eV，具有适合作为薄膜太阳电池吸收层应用的可能性。     

Microstructure and optical properties of Ag5In5Te47Sb33 phase change thin films with high reflection in thermal annealing process

The microstructure and optical properties of Ag-5In-5Te 47Sb 33 phase change films with high reflection in the thermal annealing process were systematically reported. The as_deposited film is amorphous and its crystalline temperature is 160℃. The annealed films are crystalline. The crystalline phases are AgInTe-2, AgSbTe-2 and Sb when annealed at low temperature. When annealed at 220℃, the AgInTe-2 phase disappears and the amount of AgSbTe-2 is the largest. The research of electronic transmission microscopy shows that the morphology of AgSbTe 2 is sphere and that of Sb is bludgeon. The reflection of the annealed films is higher and reaches its peak value at 220℃.     

Preparation of InSb nanocrystals embedded in SiO2 thin films

InSb nanocrystals embedded in SiO₂ thin films were prepared by rf magnetron cosputtering technique. THe observation by transmission electron microscope showed that InSb nanocrystals dispersed uniformly in SiO₂ matrices. InSb nanocrystals with different sizes can be obtained by changing the annealing condition. The average size of InSb nanocrystals depended on annealing temperature and time, but not on the t_1/3 rules. X-ray photoelectron spectroscopy and X-ray diffraction were also applied to the analyses of the composite thin films.     

高频气体放电等离子体处理对铁电体材料改性的影响

研究了高频气体放电等离子休对铁电体电滞特性的改性作用,并对其改性机现作了理论分析。研究表明：铁电体PZST经高频气体放电等离子体处理后,其电滞特性有明显改变,其中,矫顽电场强度Ee减小;自发极化强度Ps不变,其物理意义是铁电体电畴反转所需的能量降低;非线性增强。本文为铁电体电滞特性及其电光和光学非线性效应等的改变提供了一种新的物理实验方法。     

组合式金合金圆平面磁控靶的设计

首先对传统的圆平面磁控靶的形状进行改进,设计一个靶材利用率高的纯金靶．利用金合金的色区图,计算沉积不同Ｋ值和颜色的镀金膜时,组合式Ｋ金靶上金、银、铜的面积比,从而在纯金靶上固定相应面积的扇形银片和铜片,研制出不同Ｋ值和色度的组合式金合金靶．     

气相生长碳纤维的制备

以苯和氢气为原料在石墨,陶瓷等基板表面催化热解制取低成本,高性能的气相生长碳纤维（ＶＧＣＦ）,实验考察了催化剂类热解温度、热解时间,苯带入量,载气,基板材料等参数对ＶＧＣＦ生长情况及性能的影响,并提出了碳纤维的生长机理。结果表明,在合适条件下,用直接播种法制得的ＶＧＣＦ直径为０．７￣１０μｍ,长度为１￣５μｍ,采用金属原子溅射沉积的基板可得到均匀稠密的ＶＧＣＦ,直径为３￣８０μｍ,碳纤维的生长过程     

基于2阶低频互调干扰信号的HPA预失真法

提出一种基于2阶低频互调干扰信号的一种预失真线性化器。该法利用非线性放大器的2阶低频互调干扰信号，通过混频产生3阶和5阶互调干扰信号，并且能够独立地控制3阶和5阶互调干扰信号的幅度和相位，从而可以使HPA的非线性得到很好的补偿。通过该预失真法，可以使Im3和Im5的功率电平分别下降22dB和13dB。     

射频磁控溅射高饱和磁化强度Fe-N薄膜

用射频磁控溅射法分别在具有20nmFe衬底的Si(100)和NaCl单晶基片上成功地制备出具有高饱和磁化强度的Fe-N薄膜.用X射线衍射仪、透射电子显微镜和振动样品磁强计研究了氮气分压和基片温度对Fe-N薄膜相结构和磁性的影响.结果表明,当氮气分压为2.66×10-2Pa,基片温度为100~150℃时,最有利于α-″Fe16N2相的形成.在此条件下制备的Fe-N薄膜的饱和磁化强度高达2.735T,超过纯Fe的饱和磁化强度值.