氧化锌陶瓷元件伏安特性的试验分析与机理探讨

本文用分段拟合法对ZnO陶瓷压敏器件的直流伏安特性进行了分析讨论。根据活化能分析,认为低压欧姆隧区为电子性电导。并用噪声测量法,进一步证实击穿区确实是由隧道效应引起的。文中把器件的残压比V_(10kA)/V_(1mA)分成具有不同物理意义的三部分,进而区分电子热激发过程、隧道过程和ZnO晶粒电阻各对残压有不同的影响。