首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   38篇
  免费   6篇
  国内免费   2篇
系统科学   1篇
丛书文集   4篇
综合类   41篇
  2023年   1篇
  2022年   2篇
  2021年   1篇
  2017年   1篇
  2014年   1篇
  2012年   5篇
  2011年   4篇
  2009年   2篇
  2008年   3篇
  2006年   3篇
  2005年   4篇
  2004年   3篇
  2000年   5篇
  1999年   1篇
  1998年   2篇
  1996年   2篇
  1995年   2篇
  1993年   1篇
  1992年   1篇
  1990年   2篇
排序方式: 共有46条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
本文利用IEEE-488接口板,Keithley617静电计,IBM-PC微机,编程实现了太阳电池I-V数据的自动采集、存储.以a-Si:HPin型太阳电池为样品,计算出相应的电池参量,验证了该系统的可行性和准确性.  相似文献   
2.
在一个PC基高速高分辨率仪器卡上实现超低平均功耗器件的I-V曲线测量.采集512个数据只要51.2μs,避免因过高平均功耗而损坏器件.PC基仪器卡自带时钟和单斜波电压产生器,使用功能为18MHz取样率和10bit分辨率的A/D器件和存取时间为15ns的缓存存贮器,分辨率优于一般存储示波器,测量系统对PC/XT以上的微机兼容.系统还可进行多通道瞬态测量,用于同步分析多通道窄脉冲信号,一个软件包可以完成所有的控制、测量与数据处理.  相似文献   
3.
采用射频磁控溅射方法制备了镶嵌纳米碳粒的SiO2薄膜,利用Au/(C/SiO2)/p-Si结构的I-V特性曲线,对其电流输运机理进行了分析.结果表明,正向偏压较小时,薄膜中的电流符合欧姆电流输运机制;正向偏压较大时,薄膜中的电流主要是Schottky发射和Frenkel-Poole发射2种电流输运机制的共同作用结果.这一结论与样品的EL(electroluminescence)是由SiO2中的发光中心引起的结论相一致.  相似文献   
4.
测定了化学修饰[NiFe(CN)_6]~(2-/1-)电极在NaBr或KBr(以NaNO_3或KNO_3为支持电解质)溶液中的循环伏安图,发现该电极对Br~-的电化学氧化有明显的电催化作用,并对其催化机理进行了讨论。研究结果表明,在D+—葡萄糖电化学氧化制备D_+—葡萄糖酸盐方面,[NiFe(CN)_6]~(2-/1-)电极是一种优越的电极材料,在反应过程中NaBr起催化剂的作用。  相似文献   
5.
本文通过测量CP—I和GB—I异质结光照前、后以及在不同温度下的I—V和C—V特性,研究了光诱导和热诱导缺陷态对两种结的光稳定性和热稳定性的影响。结果表明,GBP—I结改进了P—I结的界面特性,但都明显地受到强光和高温的影响,使结特性退化。  相似文献   
6.
由于碳纳米管具有独特的结构和性能,因而一直受到人们的关注.对于包括碳纳米管场效应管在内的分子元件的研究方面尤其令人注目.笔者研究了具有电解液栅的碳纳米管场效应晶体管,研究中所用的碳纳米管是用热灯丝化学气相沉积法(CVD)合成的.衬底材料是平面玻璃,Fe/Ni混合物用作催化剂.对具有Ag电极的多壁碳纳米管晶体管作了优化设计制造,并利用KCl溶液作为栅极.实验结果表明,电解液栅型碳纳米管晶体管(FET)呈现出良好的电流-电压特性曲线.在栅压2 V时,其跨导约为0.5 mA/V.并对获得的研究结果进行了讨论.  相似文献   
7.
ZnO压敏陶瓷是一类电阻随加于其上的电压而灵敏变化的电阻材料.本文阐述了它的非线性伏安特性及非线性伏安特性的微观解析,并概述了它的主要应用及发展趋势.  相似文献   
8.
聚光和非聚光太阳能光伏电池发电实验比较   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文主要比较了聚光和非聚光条件下太阳能光伏电池的伏安特性以及光伏系统的发电性能。实验结果表明,采用平面镜反射的低倍聚光方式可以增加常规太阳能光伏电池的输出功率.而且能改善光伏发电系统的可靠性,有效增加光伏发电系统的日发电量。  相似文献   
9.
采用紧束缚近似法对由单苯基分子构成的三端器件的I-V特性进行了研究,所得结果近似表现出了MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)器件的电学规律;同时模拟并讨论了该器件的I-V特性随温度的变化规律.发现:电流幅值随门电压的增大而增加,温度对电流幅值有重要影响.文中所得结论为分子器件和纳米器件的开发提供了理论基础.  相似文献   
10.
在研究单电子晶体管(single electron transistor,SET)I-V特性的基础上,依据分区处理法,设计了一个SET、积分器电路,并采用级联方法实现了一个SET/CMOS二阶低通滤波器。仿真结果表明,该滤波器的幅频特性增益比采用其它方法描述SET I-V特性所构成的滤波器的幅频特性增益高出1倍多。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号