纳米复合电磁线绝缘材料制备和表征

该文研究了纳米材料改性复合绝缘材料的制备方法，采用高频老化实验对样品的耐变频性能作了测定．结果表明，纳米复合绝缘材料在变频电机中的使用寿命比普通绝缘材料提高7倍以上，且纳米颗粒分散工艺对材料性能影响较大．文中还对纳米材料提高绝缘材料耐变频性能的机理进行了初步探讨．     

变频电机绝缘材料破坏机理的探讨及新型绝缘材料的制备

对变频电机中电磁线绝缘材料过早破坏机理的研究现状进行了总结，并对影响变频电机电磁线绝缘材料寿命的最主要的影响因素进行了讨论．通过纳米材料改性制备了一种新型绝缘材料，改善了电磁线的耐电晕性能，提高了电磁线的耐变频寿命．     

光纤复合低压电缆温度分布影响因素分析

光纤低压复合电缆(OPLC)在短路条件下温度迅速升高,直接影响电力系统安全稳定地运行。材料、结构和工作环境是影响光缆热性能的3个重要因素,根据环境选取合适的组成材料和结构能有效改善光缆的热性能。该文在分析电缆稳定运行状态和短路故障状态温升机理的基础上,运用COMSOL软件建立仿真模型,分别研究了导体和绝缘层材料、结构和风速对OPLC热性能的影响。结果表明,OPLC光单元的位置影响光单元本身的热性能;导体为铜和铝时OPLC的热性能基本一致,绝缘材料分别为聚氯乙烯(PVC)和交联聚乙烯(XLPE)时OPLC的热性能差别很大;风速不仅影响OPLC稳态时的最高温度,还影响OPLC到达稳态所用的时间。     

变压器绝缘老化对寿命的影响

简要叙述了变压器绝缘老化的影响，以及三种变压器检测方法，提出了对变压器寿命评估的有效手段。     

变压器绝缘材料老化判断的方法探讨

变压器绝缘材料主要用途是对通电导体之间进行绝缘隔离。在变压器中,绝缘材料不仅仅起到绝缘的作用,还起到散热、固定、保护、防潮等作用,是变压器的重要组成部分。如今大型变压器通常选择油纸作为绝缘材料,油纸的主要成分有纸板、绝缘纸和绝缘油,油纸的构成比较简单。绝缘材料的使用程度标志着变压器的使用寿命,该文探讨了造成变压器绝缘材料老化的原因,详细介绍了绝缘材料在老化分解过程中产气（CO、CO2）及糠醛的现象,并且主要探讨了应用测量气体、糠醛含量的具体方法来检测变压器绝缘材料的老化程度。     

探讨成像测量技术在电线电缆行业上的应用

对电线电缆产品检验中,绝缘材料老化前和老化后的探测抗张强度、断裂伸长率试验的设备进行分析,设计了试验的检测方法.从该项试验中可得到电线电缆绝缘材料物理试验数据,从而可分析绝缘材料配方和设定生产工艺参数的科学性和合理性.     

隐身斗篷

美国科学家用硅纳米材料制造了一种隐身斗篷，使普通的光学检测无法发现放置在斗篷下的物品。这种新隐身斗篷完全由绝缘材料制造，在光学频率中，它们往往是透明的。斗篷由矩形的硅片制成，厚250nm。硅片可以作为一个光波导，光线仅限于在这个垂直高度中向前后两个方向自由传播。在纳米硅材料上，研究人员精心设计了一些孔：每个孔直径为110nm，这就使得斗篷周围的光波发生完全弯曲，就好像河水流过岩石一样。它表明，当光线的方向发生改变，物品的隐身是可以实现的。     

杭州泰达实业有限公司

2009年5月5-7日国际"2009线圈绕组,绝缘和电气制造展览"在德国柏林举办,这是电气部件制造业界最大的专业展,尽管在当今经济危机尚未见底的情况下,多国又发生了甲型H1N1型流感,全球仍有600余家专     

粉云母纸组成对环氧TOA体系凝胶化性能的影响

本文用动态介电分析方法(DDA 方法)、热板法和红外光谱等手段研究了粉云母纸组成对大电机机主绝缘材料(环氧 TOA 复合体系)的凝胶化性能的影响.研究结果表明:绿云母使凝胶时间显著缩短,是 Cr~(3 )偏高的缘故;黑云母使凝胶时间大大增加,是由于 Fe~(3 )等的含量高.Cr~(3 )、Fe~(3 )是导致环氧 TOA 体系凝胶时间波动的主要因素;它们都使环氧 TOA 体系的活化能明显下降,使粉云母带的贮存稳定性变差.本文初步探讨了以上组成作用的机理.     

Undoped semi-insulating indium phosphide (InP) and its applications

During the past several years, the research and development of InP material has made great progress due to serving as the substrate for most optoelectronic devices operating at the communications wavelength of 1.31 and 1.55 μm. At present, InP has become an important semiconductor material together with Si and GaAs. When compared to GaAs, InP has higher electron velocity, higher radiation hardness and better heat-conducting property. The advantage of InP crystal material allows higher frequency operation and lower power requirements. Therefore, InP is widely being used for the manufacture of microwave devices, high-frequency devices and optoelectronic integrated circuits (OEICs) which are indispensable for wireless technology, satellite communications^[1—3]. Although n-type and p-type InP can meet actual needs, semi-insulating InP substrates remain to be improved due to their poor uniformity and consistency. For this reason, several possible approaches have been reported to the preparation of SI InP by wafer annealing under different conditions^[4—9].