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1.
在Origin等数据处理软件中,当实验数据较少时,自由参数的不同初始化设置会导致较大的结果差异,这为物理结果的确定带来较大不确定性.通过最小二乘法分析了345MeV/u ~(78) Kr+~9Be反应中产生的丰质子同位素的截面和结合能,并得到线性回归方程.通过回归方程,利用结合能预报部分丰质子核素的截面,以及通过实验截面对近质子滴线核素的结合能进行反预报测量.这对于近质子滴线的丰质子核素实验测量具有较好的借鉴意义.  相似文献   
2.
用α集团模型和少体理论方法研究了超核Λ^5He,Λ^9Be,Λ^6ΛHe和Λ^10ΛBe的基态结合能.所采用的α—α势符合低能Q—α散射实验及^8Be的基态共振能量,Λ—α势是用Λ-N势及α粒子密度分布函数拟合Λ^5He的基态结合能的实验值得到的,Λ—Λ势是通过拟合Λ^6ΛHe基态结合能的实验值而得到的.用一组α—α势,Λ—α势和Λ-Λ势统一描述这4个超核的基态结合能并得到了合理的结果.  相似文献   
3.
在手征SU(3)夸克模型基础上,用共振群方法,给出∧N相互作用的非定域位,并用于轻超核∧^5He的结合能的计算,得到了与实验和其他方法相近的结果.  相似文献   
4.
InxGa1-xN/GaN应变量子点中激子的结合能   总被引:2,自引:0,他引:2  
利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了InxGa1-xN/GaN应变量子点中的激子结合能随量子点结构参数和量子点中In含量x的变化规律.结果表明,随着量子点高度L和半径R的增加,结合能降低,随着量子点中In含量的增加,激子的结合能增大.对给定体积的量子点,激子结合能存在一最大值,此时电子、空穴被最有效的约束在量子点内.对不同体积的量子点,最大值的位置在量子点高度L=1.7nm附近取得.  相似文献   
5.
利用基于第一原理的离散变分法研究了Fe-Mn-Si合金的电子结构与FCC相稳定性的关系. Si元素使Fe原子的d带空穴数减少, 而Mn的影响较复杂. 以此为基础, 从电子浓度的角度解释了这两种元素对合金层错能的影响, 并结合对合金结合能的计算结果—— Si降低合金的结合能而Mn的作用相反, 阐述了Mn降低而Si升高马氏体相变温度的物理原因. 在不同方向上施加应力时, 合金的电子结构发生变化, Fermi能级处的总态密度有明显提高. 从Fermi能级附近的能谱变化可看出, 应变使能隙减小, 能级的简并性提高. 在同一方向上施以不同的应变, 中心原子的3d和4s轨道上的电子数减少, 3d局域态密度变窄, 且峰值增加. 对比电子密度的变化, 在应力方向上的成键轨道有减弱的趋势, 而在垂直于应力的方向上出现增强, 导致FCC结构的稳定性降低. 这是外场(应力)作用下合金的马氏体相变温度提高的重要原因.  相似文献   
6.
根据空间一时间反演等价于正反粒子变换这一基本对称性,对多粒子体系的定态薛定谔方程作了一个相对论性的修正——方程在质心系的本征值不再简单地等于结合能的负值了.对此方程的可能应用以及关于狭义相对论的本质问题,也作了进一步的讨论.  相似文献   
7.
在有效质量近似框架内,运用变分方法,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了含类氢杂质的G aN/A lxG a1-xN量子点中的激子态.结果表明:量子点中心的类氢杂质使激子的基态能降低,结合能升高,Q D系统的稳定性增强,光跃迁能减小;杂质位于量子点上界面时,激子的基态能最小,结合能最大,系统最稳定;随着杂质从量子点的上界面沿着z轴移至下界面,激子基态能和光跃迁能增大,结合能减小.  相似文献   
8.
9.
利用变分法讨论势垒厚度对GaAs/AlxGa1-xAs量子阱中杂质态结合能的作用以及垂直于界面方向磁场的影响,分别给出结合能随阱宽、垒厚、杂质位置和磁场强度的变化关系,并与无限深势阱量子阱和无限厚势垒量子阱两种情形的结果进行了比较.结果表明,在小阱宽下,有限高势垒时的结合能明显小于无限高势垒情形,有限厚势垒时的结合能大于无限厚势垒情形.随着阱宽增加,三种情形下结合能的差异逐渐减小.磁场的约束显著地影响着杂质态结合能,其值随着外磁场的增大而单调增加.在以后的工作中,应考虑本文对势垒的修正.  相似文献   
10.
计算了水、甲醇和硅烷醇分子单体和相应二聚体的振动频率.分别采用二阶MΦller-Plesset微扰和密度泛函理论方法优化了分子的几何结构,计算了结合能和振动频率.分子的结合能计算考虑了基矢叠加误差校正.通过与实验结果比较评价了两种计算方法,研究了氢键相互作用对分子结构和OH伸缩振动频率的影响.结果表明,较强的氢键相互作用会引起较明显的结构变化,从而导致较大的振动频移.  相似文献   
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