无损耗电阻器的设计方法

利用超导线圈的纯电感器可以模拟成无损耗电阻器，这种新型器件在性能上与电阻器相似，但不产生功率损耗。本文提出了一种用双线性变换法设计无损耗电阻器的方法，并对无损耗电阻器的实现与控制进行了论述。     

国外期刊亮点

正科学家制成新型小巧高阻电阻器伦敦纳米技术中心的研究人员为量子电路制作出一种新型小巧的高阻电阻器,可使用于量子相位滑移电路(QPS)中。研究成果发布在12月14日的Journal of Applied Physics上。研究人员使用雾化喷射沉积技术制作氧化铬薄层电阻。他们发现通过控制薄层中氧原子的成分浓度,能够调节氧化铬薄层的电阻,氧原子的成分越多,电阻阻值就越高;从而使用氧化铬的复合物制作出具有高     

电子元器件的检测方法探讨

电子元器件是构成电子产品的基本部分,是电子产品实现功能和安全的设备与体系基础,电子行业将电子元器件的质量看做是行业的生命,在市场经济体系下,加强电子元器件检测工作成为行业的必然需要。该研究从常见的电子元器件介绍入手,描述了电子元器件的基本特征,对电子元器件常见的软件故障、损坏、电路开路进行了分析,提供了具有针对性的电子元器件检测方法,以期实现电子行业中电子元器件检测工作水平的全面保障和提升。     

2008最佳发明（二）

绿色原油；住房基金；记忆电阻器（Memristor）；仿生手；网络直播超级坏蛋音乐剧；动力塔；灵巧的移动社交机器人；新型火星车等。     

国产固定电阻器热变特性的调查

目的让人们充分认识到国产固定电阻器的温度特性曲线问题的严重性。方法通过对1 000个的不同时期固定电阻器的温度特性曲线的统计分析,讨论了国产固定电阻器关于温度特性曲线的合格率分布情况以及固定电阻器的温度特性曲线对于电子设备质量的影响概率。结果揭示了影响着我国电子制造业的主要原因就是固定电阻器的质量问题,而且国产固定电阻器的质量还存在着严重下降的趋势。结论国家尽快建立对于固定电阻器等元器件的质量监测机构,并通过互联网技术对于固定电阻器的质量进行监督。     

氮化铝薄膜对金属膜电阻器性能的影响

本文采用射频反应溅射法在电阻瓷体表面和微晶玻璃片上淀积一层具有择优取向的A1N薄膜,然后再在其上淀积金属电阻膜(80％Ni,20％Cr)或Fe-Al-Si-Cr合金粉。对电阻器进行了功率老化、高温存贮、热冲击、短时过载等可靠性试验,测量了其TCR和表面温升。由于A1N材料的优良导热和钝化特性,使具有A1N薄膜的电阻器性能得到很大提高。文中还讨论了A1N材料改善电阻器特性的微观机理。     

Ca^2＋离子对Na扩散（Sr,Ca）TiO3系电容—压敏陶瓷结构与性能的影响

研究了Ｃａ＾２＋离子（＜５０ｍｏｌ％）对Ｎａ扩散（Ｓｒ，Ｃａ）ＴｉＯ３系电容－压敏陶瓷结构与性能的影响。ＸＲＤ及ＩＲ吸收谱的实验结果表明，Ｃａ＾２＋离子的加入，使立方钙钛矿结构发生畸变。这些结构上的变化，使得当Ｃａ＾２＋离子含量增加时，晶粒电阻率上升，晶粒尺寸减小；在Ｃａ＾２＋离子的含量约小于３０ｍｏｌ％时，随Ｃａ＾２＋离子含量的增加，经Ｎａ扩散热处理后陶瓷的视在介电系数增加，压敏电压降低。尤其是     

Pb掺杂纳米ZnO压敏电阻器

本文对掺铅ZnO(Bi2O3,Co2O3,MnO2,SnO2)系压敏电阻的烧结特性及电性能进行研究,以无机可溶性盐为原料通过简单的化学共沉淀法制取了颗粒细微、均匀的掺铅ZnO压敏陶瓷粉料.将共沉淀复合粉体进行差热和热重分析后,选定复合粉体的烧结温度为600℃.ZnO压敏电阻器的烧结温度为950℃.研究表明当铅的含量从0.5%增加到2.0%时,击穿电压从799.3 V/mm减小到688.1 V/mm.随着铅含量的增加,ZnO晶粒尺寸长大是击穿电压减小的主要原因.当Pb的物质的量分数为0.8%时,压敏电阻器的非线性系数达到α=35.2.     

MSC型湿敏电阻器及其应用

介绍了以氧化铁为主体材料的湿度传感器。文中具体介绍了电阻器的工作原理、特点、技术参数、应用电路及其简单制作方法。