纳米氧化锌压敏电阻的制备及性能研究

采用无机可溶性盐为原料通过化学沉淀的方法制备了新型优质的纳米级ZnO压敏电阻材料,并且,利用XRD,TEM,SEM等分析技术,对其微观结构进行表征和讨论,研究结果表明,由于采用化学共沉淀方法制备粉体颗粒细小、活性高、微观成分均匀,使制备压敏电阻的烧结温度降低到950℃,同时显示更优良的电性能,其非线性系数和电压梯度分别达到87．2,988．2V／mm。     

掺锡氧化锌变阻器的制备和性能研究

本文采用液相沉淀法以SnC l2.H2O代替SbC l3制备了ZnO(含有5%的B i,Mn,Co,Sn)变阻器.通过SEM和XRD技术确定了我们制备的ZnO基变阻器的晶相及其分布情况,结果表明微观结构包括ZnO主相,Zn2SnO4尖晶石相和富B i2O3相.分析了SnO2对变阻器电性能的影响.当SnO2含量增加时,漏电流明显增大;而非线性系数只对低浓度的SnO2有明显的依赖关系,且存在一个使非线性系数达到极值的临界浓度(1.0 mol%).SnO2的含量对压敏电压没有明显的影响.添加适当含量的B i2O3会提高变阻器的电性能,而过量时则会使变阻器性能劣化.我们得到了漏电流为0.34 A,非线性系数为62,压敏电压为1063V1 mA/mm性能良好的变阻器.     

V_2O_5的含量对ZnO-B_2O_3-Bi_2O_3系无铅封接玻璃的性能影响

选取ZnO-B2O3-Bi2O3体系为研究对象,探讨V2O5的含量对玻璃的特征温度、热膨胀系数、耐水性、抗弯强度及热稳定性的影响.研究结果表明:随着V2O5含量的提高,逐步降低了玻璃的特征温度,但是过多的V2O5会影响玻璃的抗弯强度和热稳定性,而少量的V2O5对玻璃的膨胀系数以及耐水性能影响不大,当V2O5的含量在4%时,软化温度为475℃,平均线膨胀系数为7.587 6×10-6,抗弯强度为47.87MPa,在500℃烧结时玻璃不析晶,说明热稳定性良好.     

NiFe2O4陶瓷粉体烧结工艺及微观结构分析

以NiO和Fe2O3粉末为实验原料,采用粉末冶金固相烧结法制备了NiFe2O4陶瓷粉体,并研究了不同烧结温度范围和烧结时间对合成NiFe2O4陶瓷粉体的影响,分析了不同烧结条件下生成的NiFe2O4粉体的形貌及结构,确定了制备NiFe2O4陶瓷粉体最佳工艺条件:在1100～1200℃的温度下烧结6h.     

镀铜CNTs/Ti3AlC2增强AZ91D复合材料的制备及机理研究

采用自蔓延高温合成法制备Ti_3AlC_2陶瓷粉体,对CNTs粉体、Ti_3AlC_2粉体进行化学镀铜,表面改性.以镀铜后的CNTs粉体、Ti_3AlC_2粉体为增强相,AZ91D粉末为基体,采用热压烧结法制备CNTs/Ti_3AlC_2/AZ91D复合材料.确定复合材料的最佳原料配比为:镀铜后的CNTs∶镀铜后的Ti_3AlC_2∶AZ91D=1∶25∶74,热压烧结的最佳工艺参数为:压力为35MPa,烧结温度为500℃.测试了复合材料的各项性能,随着CNTs粉体含量的增加,复合材料的密度逐渐减小,硬度先增加后减小.复合材料的力学性能:弯曲强度为342 MPa、压缩强度为427MPa、剪切强度为119MPa,复合材料拉伸强度提高了25.52%,屈服强度提高了122.46%,延伸率提高了33.54%.并分析了影响复合材料性能的U相生成机制、位错强化机制、载荷强化机制等机理.     

环形压敏电阻器试制浅谈

本文叙述了一种消除录音电机噪声用的环形ZnO消噪型压敏电阻器的研制过程,着重从产品设计、资料配方、主要工艺进行了粗浅的探讨,分析了影响消噪型压敏电阻器电气参数和工作特性的诸因素,并将半导体扩散理论引入到压敏电阻器的研制中.     

无铅压电陶瓷（Sr2-xCax）2Bi4Ti5O18制备及其压电性能研究

采用固相合成法制备了铋层状无铅压电陶瓷Sr2-xCaxBi4Ti5O18（SCBT）（0≤x≤0.2）.利用XRD对900℃合成出的粉体进行了表征,结果显示粉体相结构是Aurivillius结构相.通过SEM形貌分析可以看出1160℃保温2h烧结出的陶瓷为片状结构.研究结果表明SCBT陶瓷的居里温度、矫顽场随钙含量的增加而增加.     

共沉淀法制备t-ZrO2/Al2O3纳米复合粉体研究

用NH4Al(SO4)2.12H2O、ZrOCl2.8H2O和NH4HCO3为原料,采用共沉淀法合成了t-ZrO2/Al2O3纳米复合粉体.前驱体的制备温度以45℃为宜,反应物NH4HCO3/(Zr Al)摩尔比对反应中锆的沉淀率影响显著.前驱体经1 100℃焙烧1 h后出现t-ZrO2和γ-Al2O3的宽化衍射峰,t-ZrO2较均匀地分散于氧化铝中,两相晶粒大小都在10~20 nm之间,样品进一步加热到1 200℃时α-Al2O3相迅速生成并伴有部分晶粒融合发生.     

掺铌BaTiO3纳米粉体的溶胶-凝胶自蔓延法制备及其介电性能

采用溶胶-凝胶自蔓延法制备了掺铌BaTiO3基纳米粉体及其陶瓷.通过X-射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM)和场发射扫描电镜(ESEM-FEG)对粉体及其陶瓷进行了表征,并测试了陶瓷的介电性能.研究了掺铌量对粉体及陶瓷的相组成、微观形貌以及对陶瓷介电性能的影响.结果表明:溶胶-凝胶自蔓延法可以得到均匀的掺铌BaTiO3基纳米粉体.铌掺杂BaTiO3基纳米粉体由立方相BaTiO3组成,当掺铌摩尔分数ω≥5.0%时,出现了杂相Ba6TiI7O4O.烧结后陶瓷由立方相BaTiO3转变为四方相.掺Nb后陶瓷介温谱ε-T曲线趋于平缓,当掺铌摩尔分数ω=1.0%时,陶瓷介电常数达到5539,介电损耗为0.008.     

退火温度对ZnO纳米棒结构和光学性能的影响

利用溶胶-凝胶法制备了氧化锌(ZnO)纳米棒,通过测试样品的X射线衍射谱(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)图像和光致发光谱(PL)研究了退火温度对ZnO纳米棒结构、形貌和光学性能的影响.结果表明:在900 ℃时会形成均匀的ZnO纳米棒.不同温度烧结得到的样品其光致发光峰不同但都有紫带和又宽又强的可见光带.当升高烧结温度时,由自由激子复合引起的紫外峰发生红移,这是由于晶粒尺寸的增加和应力的减少导致的.另外一个可见光发射峰是由过量的氧和结构缺陷引起的.最后根据实验结果研究了ZnO纳米棒的生长机制.     

基于RBF神经网络重构模糊PID控制器的研究

尽管模糊PID控制器具有良好的控制品质,但存在计算复杂和实时性差的问题,为了解决这个问题.利用1LBF神经网络逼近能力重构模糊PID控制器,由于重构的RBF神经网络的并行计算能力,这简化了计算复杂性并提高实时性.通过选择不同的给定信号,比较模糊PID控制器和重构的RBF神经网络的控制性能.得到两者的控制效果是相当的.说明重构的RBF神经网络可以取代模糊PID控制器,从而减少了计算复杂性.避免维度灾难并改善控制实时性.     

RNAi机制的研究进展

RNA干涉广泛存在于各种真核生物中,而且其基本的作用机制也具有高度的保守性．最近,研究发现RNAi在许多重要的生物学过程中发挥调节作用,具有重要的生物学功能．而且RNAi技术已经成为研究功能基因组学的一种有力工具．     

适可而止的“栖息”

当今的设计将重点探讨物品、过程、服务中的方式创新,亦即谋事,其研究具有广泛性和纵深性。设计承载的是人类的理想、道德的重任,设计是一种生产关系,是科学与艺术发展的动力,是人类生存智慧的源泉。     

论诸种电影元素在塔尔柯夫斯基作品中的运用

对诸种电影元素的极其严谨而和谐的运用并使其完美地服务于作品整体的精神内涵,这是塔尔柯夫斯基高度的电影艺术成就的一个重要方面。从作品的人物、表演、摄影、剪辑、色彩与声音诸要素来看,它们都能很好的实现作者的表意目的。     

自补图半度序列和的界

自补图是图论中对称性极好的一类图,并在网络理论和设计中有一定的应用。本文论述了自补图前,后半度序列和的上、下确界。     

漂泊者“真心真血的流露”——浅谈杨骚二十年代漂泊南洋的创作

闽籍现代作家杨骚于1925年夏至1927年秋漂泊南洋时的创作,是一个漂泊者"真心真血的流露".这些作品描绘了南洋人民的苦难生活,抒写了他的思乡恋国之情,也抒发了他的爱情吟唱,虽说其中弥漫着矛盾、痛苦、感伤,甚至还有颓废的气息,但却透露出他的倔强、坦诚与率真.     

从近代科学技术发展历史辨析科学与技术的关系

通过对近代科学技术发展历史分析 ,认为科学与技术关系是由相互独立到相互作用 ,形成“技术科学化”和“科学技术化”的历史过程 ,并对科学与技术的关系做逻辑的分析、概括、总结     

多项式除法中商与余式的显式表达

利用矩阵方法,给出多项式除法中商与余式的显式表达式。     

植物界（含菌物）孢子特性的初步探讨

在目前孢子的概念较为混乱的状况下，本文对其特性进行了初步地分析归纳：（１）具有繁殖休眠和传播功能。，繁殖功能体现在６个方面；（２）无性的分化；（３）可以通过有丝分裂，减数分裂或配子结合，由产孢结构生产或由营养细胞变态而成；（４）有或无性别差异；（５）由１－多数细胞组成；（６）脱离母体或否；（７）可以发育成一个体或一产孢结构。