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1.
2.
3.
氮化碳薄膜的制备及C-N/CuInSe_2/Si异质结光伏特性 总被引:3,自引:0,他引:3
新材料氮化碳薄膜具有超强硬度和独特的物理、化学性质.近年来,引起国内、外学者的重视,1989年,Liu等从理论上预测人工合成具有β-C_3N_4结构的氮化碳材料的可能性,该材料有很大体变模量B,使其具有超强硬度等特性,极有可能在光电、磁、机械工业等领域获重要的应用,但合成工艺上一直没有取得突破,直到1993年,美国哈佛大学Niu等报道采用激光束蒸发石墨加氮离子束源工艺合成出氮化碳薄膜,该方法回避了等离子工艺过程的热动力学平衡及限制,显然只可作为人工合成预测的新材料的原理性方法而无法实用.我们从1988 相似文献
4.
用透射电镜研究了纯铁离子氮化缓冷后时效时,其扩散层中相的转变过程,并用实验力学中测定宏观应变的Moire法原理,通过对电镜水纹图象进行分析,测定了a"与a_N相间的共格应变值。 相似文献
5.
42CrMo钢离子氮化—沉淀强化组织结构的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了42CrMo钢离子氮化—沉淀强化的组织结构,结果表明,离子氮化层的组成为ε、r'a_N、Fe_3C和少量Cr_2N、Mo_2N、CrMoN_x及a";经时效处理后,ε相和a_N相弥散析出Cr_2N、Mo_2N和a" 。325℃时效,CrMoN_x消失;500℃时效,Mo_2N大大减少。a"、Cr_2N和Mo_2N弥散共格析出,必将使氮化层强化。 相似文献
6.
高琴 《盐城工学院学报(自然科学版)》1995,8(2):51-53
<正>《中国教育改革和发展纲要》中明确指出:"振兴民族的希望在教育,振兴教育的希望在教师.建设一支具有良好政治业务素质,结构合理,相对稳定的教师队伍,是教育改革和发展的根本大计."事实证明,没有一支过得硬的教师队伍,即使其他方面的办学条件再好,也难以办出 相似文献
7.
氮化烧成后硅在刚玉氮化硅材料中的赋存形态 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了不同温度氮化烧成后,硅在刚玉氮化硅材料中的赋存形态.结果表明:1300℃氮化后,硅的外层包裹着絮状的O'-Sialon;1400℃时,硅颗粒破裂且内部有氮化硅生成;1 500℃时,已没有残留硅保留下来,硅氮化生成了O'-Sialon和氮化硅;1 600℃时,硅氮化完全,其中的杂质相CaO,Fe2O3等富集在一起. 相似文献
8.
9.
用卤素钨灯作辐射热源,对超薄(10nm)SiO2膜进行快速热氮化(RTN),制备了SiOxN,超薄栅介质膜,并制作了Al/n-Si/SiOxNy/Al结构电容样品.研究了不同样品中n型Si到快速热氮化超薄SiO2膜的电流传输特性及其随氮化时间的变化.结果表明:低场时的漏电流很小;进入隧穿电场时,I—E曲线遵循Fowler-Nordheim(F-N)规律;在更高的电场时,主要出现两种情形,其一是I-E曲线一直遵循F-N规律直至介质膜发生击穿,其二是I-E曲线下移,偏离F-N关系,直至介质膜发生击穿.研究表明,I-E曲线随氮化时间增加而上移.文中对这些实验结果进行了解释. 相似文献
10.
采用反应直流磁控溅射的方法在室温下,在玻璃基底上成功制备了多晶氮化铜(Cu3N)薄膜.XRD显示薄膜是择优生长取向的,在低氮气分压时薄膜择优[111]晶向生长,在高氮气分压条件下薄膜的择优生长取向为[100]、[111];XPS分析表明,在低氮气分压时,薄膜主要由Cu3N和Cu组成;在高氮气分压时,薄膜主要由Cu3N组成,而Cu的含量很少. 相似文献