多弧离子法制备的Ti(C,N)微结构随C_2H_2/N_2流量比变化的研究(英文)

用多弧离子法在高速钢(W18Cr4V)基底上沉积了Ti(N,C)薄膜,并运用SEM、XRD、XPS对该膜微观结构随进气流量比r=C_2H_2/N_2变化的情况进行了测试和分析。结果表明薄膜随r增加趋于致密,在r值较小时呈现较强的(111)择优取向,随着r值增大,(111)这一取向逐渐变弱,(220)取向渐强,薄膜呈现典型面心立方结构,主要成分为复合相Ti(N,C),膜含有少量石墨相成分存在。     

形变热处理对CuAlNiMnTi组织和性能的影响

借助金相显微镜、DSC、X射线衍射和透射电镜等实验手段,研究了CuAlNiMnTi合金经高温形变热处理后对组织与性能的影响.试验结果表明,随合金变形量的增加晶粒尺寸变小,相变点M_s下降;适当形变热处理可以提高记忆性能,这是形成择优取向排列的马氏体作用的结果.     

界面区氢氧钙石择优取向测定新法

水泥浆-集料过渡区内晶体的择优取向度对混凝土的宏观性能有很大影响。本文通过理论和实验分析指出,计算水泥浆-集料界面区内氢氧钙石的择优取向度目前所沿用的公式是不合理的。提出了用测定多晶回摆曲线并以水泥浆本体的氢氧钙石作为无规标样评定界面过渡区内氢氧钙石择优取向度的方法,并进行了相应的理论和实验研究,获得了良好的结果。     

混合稀土对AB5贮氢合金织构生长特性影响的PLS研究

利用偏最小二乘法（PLS）研究混合稀土组成对贮氢合金的织构生长特性的综合影响,并提出了合金织构择优取向的判据。对于平行于柱状晶织构,择优取向（101） (201)晶面受Nd的影响最为敏感,Ce的影响最小,同时Ce对择优取向的作用与La,Pr,Nd的作用相反;对于垂直柱状晶织构,择优取向（200） (110)晶面受Pr的影响最为敏感,而受Nd的影响最小。     

IBAD-YSZ薄膜辅助离子束对生长竞争机制的影响

采用离子束沉积方法(IBAD)制备高温超导涂层导体的钇稳定氧化锆(YSZ)缓冲层中已发现了YSZ薄膜中生长过程中会出现(001)和(011)取向竞争,该文在IBAD-YSZ薄膜的研究中,选取较弱的辅助离子束流和能量,发现随着束流的变化薄膜从(011)的纤维织构向(001)双轴织构的逐步过渡,这说明辅助束离子在薄膜生长过程中作用非常明显;这一现象除了选择性溅射模型和各向异性破坏模型能解释外,表面自由能和辅助离子束产生的沟道效应相互竞争的作用也可解释取向竞争现象。     

镍基体上银和铜膜的择优取向及其价电子分析

目的研究在Ni（100）基体上沉积Ag和Cu膜的择优取向的形成机理。方法采用X-射线衍射进行分析,根据固体与分子经验电子理论（EET）的键距差（BLD）方法,计算Ni（100）晶面、Ag和Cu的33个晶面的平均电子密度及相对电子密度差。结果X-射线衍射分析结果表明,在Ni（100）基体上沉积Ag和Cu膜的主要择优取向为（111）,其次依次为（100）和（110）。计算结果表明,2个晶面的电子密度差越小,相应的择优取向越强。结论从界面处电子密度的连续原理成功地分析了在基体上沉积薄膜的择优取向的产生机理。     

电铸Cu的显微组织、晶粒取向和晶界结构

采用SEM,TEM和EBSD研究了电铸Cu的微观组织形貌、晶粒取向和晶界特征.SEM观察表明,沿沉积方向,组织由细小等轴晶区、等轴晶和柱状晶的混合晶区转变为粗大柱状晶区.EBSD分析表明,对于所有晶区,小角度晶界(15°)的分布频率较小,大角度(≥15°)晶界为电铸Cu组织的主要晶界.在大角度晶界中,CSL晶界占有很大比例,其中Σ3的分布频率较大.柱状晶由平行分布的层状孪晶构成,近似垂直于沉积厚度方向,层间孪晶界为Σ3类型,TEM的观察也显示了孪晶的存在.细等轴晶区晶粒的择优取向不明显,混合晶区和粗柱状晶区有明显的〈111〉和〈101〉择优取向.在粗柱状晶区,平行于沉积厚度方向,具有较强的〈111〉择优取向,表明大多数{111}孪晶面垂直于沉积厚度方向.     

射工艺对LaNiO3薄膜结构的影响

采用射频磁控溅射法在Si（100）衬底上制备了LaNiO3薄膜。通过原位加热或后续热处理使薄膜晶化。借助X-ray衍射分析、电感耦合等离子体发射光谱、原子力显微镜等手段研究了溅射工艺对薄膜显微结构的影响。实验结果表明,溅射时是否加热对薄膜的结晶取向影响很大,而氧分压则影响La/Ni比。衬底不加热时,通过后续热处理得到多晶的随机取向薄膜,而当溅射时原位加热300℃,则得到有明显（100）择优取向的薄膜。