jj耦合g因子

本文从矢量模型出发，导出纯ｊｊ耦合下ｇ因子表达式，并证明了当近似取ｇｓ＝２时，该式等价于量子力学的ｇ因子矩阵略去非对角元的结果，说明了矢量模型的近似程度。     

基于贝叶斯推断的脉冲星偏振位置角拟合算法

脉冲星辐射束的偏振位置角与相位的关系可用旋转矢量模型(RVM)描述,现有的Levenberg-Marquardt非线性拟合和格点搜寻算法对RVM的拟合存在效率低、易过拟合等问题。本文发展了一套基于贝叶斯推断的马尔可夫链蒙特卡洛算法(MCMC),并用该方法对已有文献中的10颗脉冲星偏振位置角进行了拟合。结果表明,MCMC算法不仅能得到与已有文献一致的结果,而且该算法具有高效、不易过拟合、能更好地估计参数的可信度区间等优点。     

多价电子原子的朗德g因子的计算

原子磁矩决定原子的磁性,求出原子磁矩的关键是朗德g因子的计算。在量子力学中,原子磁矩的计算是比较复杂的。本文提出一种简单的、利用原子矢量模型计算多价电子原子朗德g因子的方法。     

垂直布洛赫线传输的计算机模拟

本文用有限差分法求解磁泡薄膜畴壁运动耦合微分方程组,讨论了二维含垂直布洛赫线(VBL)畴壁的边界条件和初始条件,用计算机摸拟了VBL势阱对畴壁和VBL运动及传输的影响.     

"l-L"旋进快慢的估算

借助于原子的矢量模型,利用“l-L”旋进带来的价电子动能增量与其相应的相互作用能的关系,给出了估算两价电子原子“l-L”旋进快慢的一般表示式。     

磁泡研究有新突破——在磁畴壁上读取信息

本文报告了最新重要科技信息.利用外加磁场控制布洛赫畴壁(简记BL)可产生磁化矢量复杂扭转.其中能形成一些磁化方向垂直指向膜面的小区域.称为垂直布洛赫线(或VBL).利用这些成对的布洛赫线,可以制成存储密度极高的计算机存储器,因为信息是在布洛赫线内被编码寄存的,而不是在磁泡本身内.因此,极限信息密度可达到10~(10)bit/cm~2,从布洛赫线存储器中检索信息只需要约2/1000s、而目前检索信息要10s.     

Λ型三能级系统中的光信息存储与提取

以光子回波技术原理为基础,应用密度矩阵数值解和布洛赫矢量解析法,分析了Λ型三能级系统中实现光信息存储、提取的物理机制.结果表明,该方法对信息的存储时间、信息提取信号的大小均优于二能级系统.     

温度对普通硬磁泡畴壁中VBL链的影响

实验研究了温度对普通硬磁泡（ＯＨＢ）畴壁内垂直布洛赫线（ＶＢＬ）链的影响，发现存在一个与磁泡材料参量相关的使ＶＢＬ链解体的临界温度范围〔Ｔ１；Ｔ２〕，为准确测得ＶＢＬ链不稳定的最小临界温度提供了一种实验方法     

直流偏磁场对第二类哑玲畴长度的影响

本文通过研究直流偏磁场Ｈｂ对标称成份为（ＹＳｍＣａ）３（ＦｅＧｅ）５Ｏ１２石榴石磁泡材料中第二类哑铃畴（ＩＤ）长度的影响，观察到：１）ＩＤ的长度随Ｈｂ的升高而缩短；２）经过直流偏场从低到高两次大幅度地准静态升降，ＩＤ长度与Ｈｂ的关系曲线基本重合；３）随着Ｈｂ的升高，直至ＩＩＤ缩灭的过程中，较长ＩＤ与较短ＩＤ的长度比变化不大．这些实验现象暗示，在Ｈｂ的准静态变化过程中ＩＤ畴壁中的垂直布洛赫线（ＶＢＬ）数目保持不变     

晶体的对称性和电子的能带结构

此文深入分析了晶体的对称性，由晶体的对称性不仅得到布洛赫函数的一般性质，也可同时得到能量的一般性质。