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1.
为探究Fe掺杂对BiTaO4陶瓷样品介电特性和铁电特性的影响,采用传统固相烧结法制备了Bi Ta1-xFexO4-x(x=0,0.01,0.03)陶瓷样品,利用X线衍射仪和扫描电子显微镜对样品的晶体结构和表面形貌进行分析,利用精密阻抗分析仪和铁电分析仪对样品的介电性能和铁电性能进行检测.结果表明:Fe掺杂没有明显改变样品的晶体结构;随着Fe掺杂量的增加,样品的介电常数表现出较好的稳定性,介电损耗略有减小,且基本保持在tanδ=0.05以下,其漏电流先增大后减小,且掺杂样品均可得到比较完整的电滞回线. 相似文献
2.
3.
该文采用溶胶-凝胶法(Sol-Gel)在Pt/Ti/SiO_2/Si衬底上制备了PZT和PZT/PTO两种结构的铁电薄膜,通过PTO种子层调控PZT薄膜的微观结构和电学性能.研究发现,加入PTO种子层之后,薄膜的SEM图像呈现出更加致密的形态,晶粒分布较均匀.PZT/PTO铁电薄膜在550℃下退火后测得的剩余极化强度比PZT薄膜650℃下退火获得的剩余极化强度要大,说明种子层的加入降低了薄膜的结晶温度.此外,加入PTO种子层后,PZT铁电薄膜的介电常数升高,介电损耗降低,抗疲劳性能也变好,薄膜的电学性能得到了较好的改善. 相似文献
4.
该文采用原子层沉积在Si/SiO2/TiN基底上制备了20 nm Hf0.5Zr0.5O2 (HZO)薄膜,并分别以TiN和Cu为盖层构筑了HZO铁电电容器掠入射X射线衍射测试表明,TiN和Cu作为盖层的HZO薄膜都具有明显的正交相系统比较研究了Cu和TiN盖层对HZO薄膜的铁电、漏电和可靠性的影响极化 电压测试表明,TiN和Cu为盖层的HZO薄膜在±4 V扫描电压下,剩余极化强度 (2Pr) 值分别为40.4 μC/cm2和21.2 μC/cm2相应的矫顽电压分别为+1.7 V和+2.0 V极化疲劳与保持特性测试表明,在经过2.3×108循环次数后,以TiN和Cu为盖层的HZO薄膜的2Pr值分别衰减了39.7%和45.6%经过1.3×104 s保持测试,TiN和Cu盖层的HZO薄膜的2Pr值从初始34.4 μC/cm2和17.1 μC/cm2分别下降到了22.6 μC/cm2和1.6 μC/cm2上述结果说明,金属盖层是影响HZO铁电性的一个非常重要的因素盖层的功函数、热膨胀系数、界面缺陷和界面介电层都是导致HZO薄膜铁电性差异的可能机制该文工作对于进一步理解HZO铁电性起源和影响机制提供了有意义的借鉴,将有助于发展未来高性能的HZO铁电存储器和负电容晶体管 相似文献
5.
在乘积Banach空间中引进并研究一类包含广义f-投影算子的双层投影集值投影动力系统.在恰当的条件假设下,利用广义f-投影算子的性质及熟知的Nadler不动点定理,证明了该双层集值投影动力系统的均衡点集是非空的和闭的. 相似文献
6.
7.
柠檬酸铁铵是柠檬酸铁和柠檬酸铵的复盐,因制备条件不同,具有不同的细成。本研究了由硫酸亚铁为原料,用氧酸钠做氧化剂制取氢氧化铁,再与柠檬酸、氨反应制备柠檬酸铁铵的方法。研究讨论制备不同组成的产品与反应物的用量比之间的关系。 相似文献
8.
将由联苯阴离子和中性萘之间通过刚性环己烷所连接的经典的电子转移体系作一构象修正,得到一个新的π-σ-π型分子.UHF/6 -31G^**研究表明,新体系具有较高的能垒和很小的电子转移藕合,而且其藕合几乎完全通过环己烷桥上的化学键实现.外电场效应的研究进一步发现,该体系的电荷可稳定地定域在联苯片段或萘片段上,仅当出现外部刺激(如电、光等),其电荷定域态才会迅速转变.因此,认为该体系可以作为双稳态分子器件材料的原型分子. 相似文献
9.
计算-表征认知理论的认知语境分析 总被引:3,自引:0,他引:3
科学是一种认知现象,是在其认知语境中产生的。本文以认知科学的中心假说--心智的计算-表征理解(CRUM)作为“文本”,对其进行语境分析,提出“认知语境”的概念,揭示了CRUM的认知语境结构及其工作机制,并对CRUM的认知语境作了进一步扩展与补充。 相似文献
10.
NIPA类共聚温敏水凝胶中水的状态和耐热性 总被引:3,自引:0,他引:3
用N-异丙基丙烯酰胺(NIPA)与丙烯酸钠(SA)及甲基丙烯酸钠(SMA)共聚合成了两个系列的水凝胶,研究了共聚组成与水凝胶基本性质的关系,并用示差扫描量热法(DSC)和热失重法(TG)研究了此类水凝胶中水的状态和耐热性。 相似文献