水热法合成纳米ATO粉末的研究

研究了以锑白、氢氧化钠、锡酸钠为原料，硫酸作为沉淀剂先制备出ATO的前驱体，然后用水热法合成了ATO纳米粉体，用容量法和碘量法分析其锑掺杂量分别为4．3mol％、5．8mol％和7．2mol％，并用X射线衍射（XRD）、透射电镜（TEM）、差热分析等手段对粉末进行了表征．DTA分析表明所得到的粉末脱水完全，晶型稳定；TEM分析结果表明其平均粒度20nm左右。XRD分析表明，随着锑掺杂量的增加，ATO的粒度减小而结晶性能变差．图4，表2，参10．     

V—Sn氧化物催化甲苯气相氧化剂苯甲醛

采用溶液混合法和浸渍法制备了一系列V2O5-SnO2二元氧化物和V2O5-SnO2/η-Al2O3负载型催化剂，V2O5与SnO2构成的二元氧化物样品与单氧化物及其V2O5-SnO2/η-Al2O3的性质不同，负载型催化剂的活性明显高于二元氧化物样品的活性，甲苯转化率和苯甲醛选择性与催化剂的组成有较好的对应关系，随着SnO2的引入，催化剂活性缓慢降低，苯甲醛的选择逐渐减小，可见SnO2不适合作为甲苯氧化反应的催化剂组分，X射线衍射实验结果表明，SnO2的作用主要是为钒的分散提供骨架。     

Mg^＋,Nb^＋离子注入对SnO2薄膜晶粒热稳定性的影响

采用Ａｒ＾＋离子溅射方法将３００ｎｍ ＳｎＯ２薄膜沉积在Ｓｉ片上，分别对膜层进行６０ｋｅＶ，５×１０＾１６ｃｍ＾－２Ｍｇ＾＋离子注入和１００ｋｄＶ，６×１０＾１６ｃｍ＾－１Ｎｂ＾＋离子注入，对未注入，Ｍｇ＾＋离子注入，Ｎｂ＾＋离子注入３种薄膜进行５００℃，４ｈ退火处理．     

厚膜二氧化锡材料的气敏特性研究

用液相结晶和高温分解法制备偏离化学计量比的二氧化锡材料，对此二氧化锡进行掺杂，制成由一定原料配方组成的厚膜浆料，以此浆料用丝网印刷技术制备ＳｎＯ２厚膜气敏元件。然后，对系列元件进行气敏特性测试，所制备的ＳｎＯ２气敏元件表现出对乙醇气体的选择敏感性。     

超细SnO2粉体应用于低温气敏材料及其机理探讨（I）：不同…

将溶胶－凝胶－超临界流体干燥法所制超细ＳｎＯ２粉体应用于气敏材料，可以得到具有较大应用前景的低功耗气敏元件。本工作通过吸附性和气敏效应的关联，特别是不同吸附物种对ＣＯ气体检测的作用研究，结合溢流现象，提出了超细元件的Ｐｄ－氧溢流模型，解释了超细粉体降低元件工作温度的原因。     

Nb_2O_5掺杂对SnO_2-Zn_2SnO_4系压敏陶瓷电学性质的影响

研究了Nb掺杂对SnO2-Zn2SnO4系压敏材料电学性质的影响,研究结果表明:当Nb2O5的含量(摩尔分数)从0.05%增加到0.80%时,压敏电阻的压敏电压从28 V/mm增加到530 V/mm;对晶界势垒高度的分析表明:晶粒尺寸的迅速减小是样品压敏电压增高、电阻率增大的主要原因。本文对Nb含量增加引起晶粒减小的原因进行了解释。     

NO_x对掺杂贵金属的SnO_2气敏元件特性的影响

本文报道了掺杂Ｐｄ和Ｐｔ等贵金属的ＳｎＯ＿２气敏元件置于ＮＯ＿ｘ气氛中，灵敏度发生明显下降的现象。分析认为，其主要原因是元件中的贵金属受到了ＮＯ＿ｘ污染．ＸＰＳ分析表明，污染后的Ｐｄ３ｄ＿（５／２）已确有化学位移。     

纳米 SnO2 基 CO 敏感元件的研究

采用沉淀法制备了SnO2纳米粉体，并制作了烧结型的CO敏感元件，考察了掺杂元素的种类和含量及烧结温度对敏感元件灵敏度的影响，为获得性能良好的CO气敏元件，需要最佳的制备方法和最好的掺杂剂。     

SnO2:(Sb,In)透明导电薄膜的制备及其性能研究

采用溶胶凝胶(Sol-Gel)技术制备了SnO2∶(Sb,In)薄膜,优化了制备工艺参数,应用差示扫描量热仪-热重分析仪(DSC-TGA)、X射线衍射仪(XRD)等手段对薄膜进行了表征.结果表明,氯化亚锡、乙醇和水摩尔比为1∶20∶4时成胶状态最佳,当锑和铟的掺杂量分别为7 %和4 %时,在500 ℃氮、氢混合气氛下煅烧2 h制备的薄膜表面平整,方块电阻大约为40.5 Ω,紫外-可见光透射率达88 %.