表象间的基矢变换与幺正矩阵关系的再讨论

以定理的形式给出了表象变换中获得幺正矩阵的一种简洁方法,并给予了合理的证明,同时结合具体实例验证了定理的正确性.我们认为这一定理具有一定的理论价值和实际应用价值.     

面向对象的仿真电学实验室的设计

论文提出了大学物理仿真电学实验室的总体结构,在此基础上,采用面向对象技术实现了实验仪器的仿真建模和整个实验过程的模拟,仿真系统采用界面操作,达到了可设计性和操作的任意性,并且具有真实感的交互功能,能达到与实际实验同样的效果,增强了学生对物理实验的兴趣,提高实验教学水平.     

测量弱自旋回波信号辅助电路设计

设计了除去自旋回波谱仪输出的90°脉冲信号电路，该电路的设计可实现利用Boxcar积分器和自旋回波谱仪测量微弱的自旋回波信号，较大地提高Boxcar积分器的输入动态范围．     

CrO_2/Polystyrence复合材料导电机制的研究

研究了CrO2/Polystyrence(聚苯乙烯简称PS)的复合样品的导电机制.对样品的电输运性质进行研究时发现零场电阻随PS含量增加而明显增大,电导对温度的变化表现出较强的依赖性;进一步分析发现复合样品的电导主要由两种导电通道构成:与温度呈指数关系的自旋相关的晶粒间的隧穿电导和与温度成幂指数关系的自旋无关跳跃电导.     

脉冲星磁球层非热谱的相关性研究

利用蒙特卡洛方法,模拟了脉冲星磁球层中全极冠级联过程的非热辐射.对一给定的位于中子星表面以上一定高度的平行于开场线的电场,原初粒子由该平行电场加速并通过曲率辐射损失其能量,曲率辐射产生的光子通过对产生过程被转化为电子-正电子对,随后这些电子-正电子对通过量子化同步辐射和逆康普顿散射发射光子,从而引发级联过程.在这种情形下,对不同的参数,计算了脉冲星的非热光子谱,并研究了其磁球层非热谱的相关特性.     

SiC基HEMTs器件的沟道温度热仿真

GaN作为第三代半导体材料,具有大的禁带宽度,高的饱和速度以及非常高的漏电流密度,导致了AlGaN/GaN HEMTs器件在高温,高功率应用方面脱颖而出.本文通过使用有限元法,实现了在稳态条件下对高电子迁移率晶体管(HEMTs)的温度分布,得到了沟道温度随着沟道位置的不同而不同的变化图.通过仿真得到,在中心沟道处的温度最高,以及随着远离沟道中心,沟道温度将会减小的结论.     

新型温度不敏感的施密特触发器特性分析

与传统的6晶体管施密特触发器相比,由两个互补金属氧化物半导体(CMOS)反向器组成的施密特触发器已经提出,该触发器具有鲜明的转换阈值电压和复位集(RS).计算结果表明:新型施密特触发器在受温度影响方面明显优于传统施密特触发器.仿真结果表明:新型施密特触发器的温度系数是传统施密特触发器的五分之一.     

对网络时代大学生行为规范的思考

网络时代的到来,使大学生网上行为失德甚至违法普遍性增强,这就使得高校开展大学生网络法制教育和网络道德教育越来越成为时代的必要。本文提出了在大学生网络行为规范教育中应当贯彻的四个原则,探讨了开展教育的几种途径和方法。     

平板抗电磁辐射材料反射性能的研究及设计

给出了抗电磁辐射平板吸收材料的反射系数公式,并利用MATLAB软件进行了优化设计.设计结果表明,只要选取μ和ε较小值的电磁损耗平板材料就可以使频率在2-18GHz的电磁波的后向反射率达到5dB的工程要求.同时本文的研究和设计方法也为工程上材料的选择与设计具有很好的指导性.     

升降算符在电子自旋耦合求解中的应用

通过将升降算符应用在电子自旋耦合的求解过程之中,给出了体系的能级及相应的本征波函数,所求得的结果表明,这种方法比用CJ系数查表法和矩阵直乘方法求解更加简洁,思路清晰易懂.